| 摘要 |
<p>Die NROM-Speicherzellen werden in Gräben angeordnet, die in das Halbleitermaterial geätzt werden. Die Speicherschicht aus einer Nitridschicht (3) zwischen Oxidschichten (2, 4) wird an den Grabenwänden aufgebracht, bevor die Dotierstoffe für Source und Drain (7) implantiert werden. Auf diese Weise wird erreicht, dass die hohe Temperaturbelastung des Bauelementes bei der Herstellung der Speicherschicht die Implantationsgebiete von Source und Drain nicht beeinträchtigen kann, da der betreffende Dotierstoff erst nachträglich eingebracht wird. Gate-Elektroden (5) aus Polysilizium werden mit Wortleitungen (11) angeschlossen.</p> |
