| 摘要 |
<p>Bei der Speicherzelle ist in dem Graben eine Schichtfolge aus einer ersten Oxidschicht (1), einer Nitridschicht (2) und einer der Gate-Elektrode zugewandten zweiten Oxidschicht (3) an den seitlichen Grabenwänden vorhanden, während die Nitridschicht (2) in einem gekrümmten Bereich (4) des Grabenbodens fehlt. Bei einer alternativen Ausgestaltung ist an den seitlichen Wänden des Grabens je mindestens eine Stufe ausgebildet, vorzugsweise unterhalb des Source-Bereiches bzw. des Drain-Bereiches.</p> |
