发明名称 |
Verfahren zum Herstellen eines Kondensators in einer Dielektrikumschicht |
摘要 |
Bei einem Verfahren zum Herstellung eines Kondensators (92) in einer ersten Dielektrikumschicht (20) wird eine Ausnehmung (40) in einer Oberfläche (22) der ersten Dielektrikumschicht (20) gebildet. Auf der Oberfläche (22) der ersten Dielektrikumschicht (20) und in der Ausnehmung (40) wird eine erste leitfähige Schicht (60) gebildet. Auf der ersten leitfähigen Schicht (60) wird eine zweite Dielektrikumschicht (70) gebildet, wobei die Summe einer Dicke der ersten leitfähigen Schicht (60) und einer Dicke der zweiten Dielektrikumschicht (70) in der Ausnehmung (40) kleiner ist als eine Tiefe der Ausnehmung (40). Auf der zweiten Dielektrikumschicht (70) wird eine zweite leitfähige Schicht (80) gebildet. Durch Planarisieren der so gebildeten Schichtstruktur erhält man einen Kondensator.
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申请公布号 |
DE10202697(A1) |
申请公布日期 |
2003.08.14 |
申请号 |
DE20021002697 |
申请日期 |
2002.01.24 |
申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES DRESDEN GMBH & CO. OHG |
发明人 |
GOLLER, KLAUS |
分类号 |
H01L21/02;H01L21/321;H01L21/3213;H01L21/768;H01L27/08;(IPC1-7):H01L21/822 |
主分类号 |
H01L21/02 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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