| 发明名称 | 光敏抗蚀剂清除剂组合物 | ||
| 摘要 | 公开了一种用来在制造半导体器件过程中清除光敏抗蚀剂的光敏抗蚀剂清除剂组合物，它包含10～40％(重量)水溶性胺化合物；20～50％(重量)选自二甲基亚砜(DMSO)、N-甲基吡咯烷酮(NMP)、二甲基乙酰胺(DMAc)、二甲基甲酰胺(DMF)和二甲基咪唑啉酮(DMI)的至少一种水溶性极性有机溶剂；10～30％(重量)水；0.1～10％(重量)含两个或多个羟基的有机酚化合物；0.1～10％(重量)三唑化合物和0.01～1％(重量)聚硅氧烷表面活性剂。该组合物能够于低温下在短时间内容易地清除在烘干、干法蚀刻、灰化和/或离子注入过程中固化或交联的光敏抗蚀剂层，并能使下层金属图案的腐蚀最小化。 | ||
| 申请公布号 | CN1118003C | 申请公布日期 | 2003.08.13 |
| 申请号 | CN99118360.6 | 申请日期 | 1999.08.30 |
| 申请人 | 东进化成工业株式会社 | 发明人 | 白志钦;吴昌一;李相大;金元来;柳终顺 |
| 分类号 | G03F7/42;H01L21/311 | 主分类号 | G03F7/42 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 白益华 |
| 主权项 | 1.一种光敏抗蚀剂清除剂组合物，它包含： 10～40％(重量)水溶性胺化合物； 20～50％(重量)选自二甲基亚砜(DMSO)、N-甲基吡咯烷酮(NMP)、二甲基乙 酰胺(DMAc)、二甲基甲酰胺(DMF)和二甲基咪唑啉酮(DMI)的至少一种水溶性极 性有机溶剂； 10～30％(重量)水； 0.1～10％(重量)含两个或多个羟基的有机酚化合物； 0.1～10％(重量)三唑化合物；以及 0.01～1％(重量)聚硅氧烷表面活性剂。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||