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发明名称 NITROGEN IMPLANTATION USING A SHADOW EFFECT TO CONTROL GATE OXIDE THICKNESS IN STI DRAM SEMICONDUCTORS
摘要
申请公布号 EP1334518(A2) 申请公布日期 2003.08.13
申请号 EP20010990881 申请日期 2001.11.08
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES NORTH AMERICA CORP. 发明人 TEWS, HELMUT, HORST;BIENTER, JOCHEN
分类号 H01L;H01L21/265;H01L21/28;H01L21/76;H01L21/8234;H01L21/8242;H01L27/06;(IPC1-7):H01L21/824 主分类号 H01L
代理机构 代理人
主权项
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