| 发明名称 | 层压陶瓷电子零件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种可防止由用作内部电极的Ni电极的氧化导致的结构缺陷，并可抑制内部电极的球化的层压陶瓷电子零件的制造方法。层压陶瓷电子零件(10)包括由陶瓷层(14)和Ni内部电极(16)构成的陶瓷素体(12)。在陶瓷素体(12)的对向端面上，形成连接在内部电极(16)的外部电极(18、20)。在制作陶瓷素体(12)时，在陶瓷生片上涂布含有Ni的电极糊剂，将陶瓷生片层压、切断后，再进行烧成。这时，将内部电极烧结开始前的氧气分压P1的范围设定在logP1＜－15。另外，在将2Ni+O<SUB>2</SUB> 2NiO的平衡氧气分压设为P3(atm)时，将内部电极烧结开始后的氧气分压P2的范围设定在1.1×logP3≤logP2≤logP3。 | ||
| 申请公布号 | CN1435856A | 申请公布日期 | 2003.08.13 |
| 申请号 | CN03103410.1 | 申请日期 | 2003.01.28 |
| 申请人 | 株式会社村田制作所 | 发明人 | 太田哲彦;山口弘道 |
| 分类号 | H01G4/005;H01G4/12;H01G13/00;C04B35/64 | 主分类号 | H01G4/005 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 朱丹 |
| 主权项 | 1.一种层压陶瓷电子零件的制造方法，其中作为内部电极形成有Ni电极，其特征在于：包括准备层压由含Ni的电极材料形成内部电极图案的陶瓷生片而成的层压体的工艺、及烧成所述层压体的工艺；所述内部电极图案的烧成开始前的烧成气氛的氧气分压P1(atm)在logP1＜-15范围，并且将2Ni+O2 2NiO的平衡氧气分压设为P3(atm)时，所述内部电极图案的烧成开始后的烧成气氛的氧气分压P2在1.1×logP3≤logP2≤logP3范围内，其中logP1＜0，logP2＜0，logP3＜0。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||