| 发明名称 | 等离子体增强化学汽相淀积装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供等离子体增强化学汽相淀积装置，包括反应室，处理气体引入其中，排放气体从其中排出；基座，具有放置半导体衬底于其上的第一区域、和第一区域以外的第二区域；电极，它面对基座，与其共同作用以在它们之间产生等离子体，从而在置于第一区域的半导体衬底上形成薄膜，其特征是，钟罩形基座罩由陶瓷绝缘材料构成，其底端朝电极开口，并在反应室的内壁和等离子体之间延伸，以将它们彼此隔开，其顶端覆盖基座的第二区域并形成有一开口，该开口和基座第一区域共同延伸。 | ||
| 申请公布号 | CN1117889C | 申请公布日期 | 2003.08.13 |
| 申请号 | CN98101147.0 | 申请日期 | 1998.04.02 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 田桑哲也 |
| 分类号 | C23C16/50 | 主分类号 | C23C16/50 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏 |
| 主权项 | 1.一种等离子体增强化学汽相淀积装置，包括：(a)反应室(31)，处理气体引入其中，排放气体从其中排出；(b)基座(32)，具有置半导体衬底(33)于其上的第一区域(32a)以及第一区域(32a)以外的第二区域(32b)；(c)电极(34)，它面对基座(32)，与基座(32)共同作用以在它们之间产生等离子体(35)，从而在置于基座(32)第一区域(32a)之上的半导体衬底(33)上形成薄膜；其特征是，钟罩形基座罩(38)由陶瓷绝缘材料构成，其底端朝电极(34)开口，并在反应室(31)的内壁(31a)和等离子体(35)之间延伸，以将它们彼此隔开，其顶端覆盖基座(32)的第二区域(32b)并形成有一开口(38c)，该开口和基座(32)第一区域(32a)共同延伸。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||