形成方法以及包含增强表面面积导电层的集成电路结构

摘要

一种与高介电常数材料兼容的增强表面面积的导电层，它通过形成具有至少两个相的一个薄膜或层来生成，其至少一个相是导电的。薄膜可以以任何简便的方式形成，比如通过化学汽相沉淀技术，可以跟着一个退火以便更好的定义和/或晶体化至少两个相。在一个下导电层的上方可以形成薄膜。至少两个相中的至少一个被选择从薄膜中移去，比如通过蚀刻处理，择优的蚀刻至少两个相的至少其中之一以至于留下至少一部分导电相。导电的钌和钌氧化物可以被用于两个或多个相。铱和它的氧化物，铑和它的氧化物，铂和铂铑可以被使用。一个湿蚀刻剂包括可以被使用的铈的硝酸铵和醋酸。在该蚀刻剂和一种钌/钌氧化物薄膜的情况下，蚀刻剂择优的移去钌相，留下一种凹坑的或“岛屿的”钌氧化物的表面，并通过下导电层物理的和电性连接。剩余的凹坑的或岛的层，如果任意的，连同下导电层构成一个增强的表面面积导电层。增强表面面积的导电层可以用于形成集成电路中的一个板极或存储电容器，比如在一个DRAM的存储器单元中的等等。

主权项

1.一种在集成电路的结构制造中用于形成一个增强表面面积的导电结构的方法，该方法包括：形成包含至少两个相的层，所述相包括至少一个导电相；和择优的移去至少两个相中的至少一个以便至少在后面留下至少一个导电相。