发明名称 |
强感应体薄膜元件及制造方法、薄膜电容器及压电调节器 |
摘要 |
本发明的压电调节器的制造方法,包括以下工序:在基板1上形成第1电极膜2,在该第1电极膜2上形成强感应体薄膜3,在该强感应体薄膜3上形成无机保护膜4。然后,在含氧氛围下对无机保护膜4与强感应体薄膜3进行热处理,通过热处理、强感应体薄膜3成分的扩散及无机保护膜4的氧化、在强感应体薄膜3表面形成的氧化扩散层6上形成第2电极膜8。按照这一方法,不会发生强感应体薄膜表面的变质层及裂纹,使强感应特性得到改善。 |
申请公布号 |
CN1435878A |
申请公布日期 |
2003.08.13 |
申请号 |
CN03104332.1 |
申请日期 |
2003.01.31 |
申请人 |
松下电器产业株式会社 |
发明人 |
喜多弘行 |
分类号 |
H01L21/82;H01L21/31;H01L27/00;H01G4/06;H01G4/33 |
主分类号 |
H01L21/82 |
代理机构 |
上海专利商标事务所 |
代理人 |
赵国华 |
主权项 |
1.一种强感应体薄膜的制造方法,其特征在于,包括以下工序:在基板上形成第1电极膜,在所述第1电极膜上形成强感应体薄膜,在所述强感应体薄膜上形成无机保护膜,在含氧氛围下对所述无机保护膜及所述强感应体薄膜进行热处理,以及通过热处理、使所述无机保护膜氧化、同时在所述强感应体薄膜的构成成分的一部分扩散生成的氧化扩散层上形成第2电极膜。 |
地址 |
日本国大阪府 |