| 发明名称 | 基板处理方法和装置、显影方法及半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种基板处理方法包括：向基板上提供处理液；从被设置在喷嘴上的第1喷出区域对基板连续喷出第1洗净液的同时，使上述喷嘴和上述基板相对地在一方向上移动；其中，上述第1喷出区域的与上述一方向正交的方向的长度，在上述基板的最大直径或者最长边同等长度以上；上述喷嘴，从第1吹出区域对上述基板连续吹付第1气体，第1吹出区域的与上述一方向正交的方向的长度，在上述基板的最大直径或者最长边的同等长度以上。 | ||
| 申请公布号 | CN1435733A | 申请公布日期 | 2003.08.13 |
| 申请号 | CN03102209.X | 申请日期 | 2003.01.28 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 早崎圭;伊藤信一、;江间达彦;高桥理一郎 |
| 分类号 | G03F7/30;G03F7/26;H01L21/027;B05B1/00 | 主分类号 | G03F7/30 |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 李峥;于静 |
| 主权项 | 1.一种基板处理方法，包括：向基板上提供处理液，在从被设置在喷嘴上的第1喷出区域对基板连续地喷出第1洗净液的同时，使上述喷嘴和上述基板相对地在一方向上移动；其中，上述第1喷出区域的与上述一方向正交的方向的长度，在上述基板的最大直径或者最长边的同等长度以上；上述喷嘴，从第1吹出区域对上述基板连续吹付第1气体，第1吹出区域的与上述一方向正交的方向的长度，在上述基板的最大直径，或者最长边同等长度以上。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||