| 发明名称 | 高压元件的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种高压元件的制造方法，其首先提供一基底，其中此基底上已形成有一高压元件的栅极结构。接着，于进行第一热工艺之后，才在高压元件的栅极结构两侧的基底中形成一第一掺杂区。之后，在高压元件的栅极结构的侧边形成一间隙壁。并且在高压元件的栅极结构上与第一掺杂区的表面上形成一氧化层。接着，于进行一第二热工艺之后，才在间隙壁两侧的基底中形成一第二掺杂区。 | ||
| 申请公布号 | CN1435867A | 申请公布日期 | 2003.08.13 |
| 申请号 | CN02103102.9 | 申请日期 | 2002.01.30 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 刘慕义;范左鸿;叶彦宏;詹光阳;卢道政 |
| 分类号 | H01L21/336;H01L21/265;H01L21/324 | 主分类号 | H01L21/336 |
| 代理机构 | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人 | 王学强 |
| 主权项 | 1、一种高压元件的制造方法，其特征是，该方法包括下列步骤：提供一基底，其中该基底上包括已形成有一高压元件的栅极结构；进行一第一热工艺；于该第一热工艺之后，在该高压元件的栅极结构两侧的基底中形成一第一掺杂区；在该高压元件的栅极结构的侧边形成一间隙壁；在该高压元件的栅极结构上与该第一掺杂区的表面上形成一氧化层；进行一第二热工艺；以及于该第二热工艺之后，在该间隙壁两侧的基底中形成一第二掺杂区。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科技工业园区力行路16号 | ||