半导体器件及其制造方法

摘要

本发明的目的在于提供一种制造半导体器件的方法，以及一种使用该制造方法制造的半导体器件，其中使用激光晶化方法，它能够防止在TFT沟道形成区中形成晶界，并且能够防止所有由于晶界导致的TFT迁移率的显著下降、接通电流降低和关断电流增加。形成具有条形形状或矩形形状的凹陷和凸起。用连续波激光沿绝缘膜条形形状的凹陷和凸起、或沿矩形形状的纵轴方向或横轴方向辐照形成在绝缘膜上的半导体膜。注意虽然此时最优选使用连续波激光，但也可以使用脉冲波激光。

主权项

1. 一种制造半导体器件的方法，它包括：在绝缘表面上形成绝缘膜，该绝缘膜具有开口部分；在绝缘膜上并在开口部分中形成非单晶半导体膜；通过熔化非单晶半导体膜，形成填充绝缘膜开口部分的结晶半导体膜；在结晶半导体膜和绝缘膜上形成栅绝缘膜；以及在栅绝缘膜上形成栅电极，其中填充开口部分的结晶半导体膜与栅电极重叠，其间有栅绝缘膜。