绝缘栅型半导体器件及其制法

摘要

一种绝缘栅型半导体器件，包括：(a)含漏区(26)、基区(24)及源区(25)的半导体区(21)，第一槽(27a)穿过源区并深入基区中间；(b)形成在半导体区上的栅绝缘膜(28)；(c)形成在栅绝缘膜上的栅极(29)，还包括：(d)形成在半导体区上的场绝缘膜(43)；(e)形成在场绝缘膜上与栅极电连接且与第二槽(27b)同时形成的第一栅线层(44)；(f)与栅极绝缘但与第一槽内表面和基区部分表面电连接的源极(31)；(g)与第二槽内表面和第一栅线层部分表面电连接的第二栅线层(45)。

主权项

1.一种绝缘栅型半导体器件，包括：(a)半导体区(21)，含有漏区(26)、形成在所述漏区(26)表面处的基区(24)、以及形成在所述基区(24)表面处的源区(25)，穿过所述源区(25)并深入所述基区(24)中间形成第一槽(27a)；(b)栅绝缘膜(28)，部分覆盖住所述源区(25)暴露的表面，完全覆盖住所述基区(24)暴露的表面，并部分覆盖住所述漏区(26)暴露的表面；和(c)栅极(29)，形成在所述栅绝缘膜(28)上，其特征在于，所述半导体区(21)限定出一个单元区(A)和一个场区(B)，其中所述单元区(A)含有所述漏区(26)、所述基区(24)和所述源区(25)，并且所述半导体器件还包括：(d)场绝缘膜(43)，形成在所述场区(B)中的所述半导体区(21)上；(e)第一栅线层(44)，形成在所述场绝缘膜(43)上，与所述栅极(29)电连接，所述第一栅线层(44)中形成有第二槽(27b)；(f)源极(31)，与所述栅极(29)电绝缘，但通过所述第一槽(27a)的内表面既与所述源区(25)又与所述基区(24)电连接；以及(g)第二栅线层(45)，与所述第二槽(27b)的内表面和所述第一栅线层(44)的一部分表面电连接。