| 主权项 |
1.一种薄板制造方法,系令具有薄板生长面之基板,与含有金属材料与半导体材料中至少一者的材料之熔液接触,令上述材料之薄板在基板上生长,藉而获得由上述材料形成之薄板;其特征在于:基板及/或熔液系移动成自基板之薄板生长面侧观察时,熔液朝向基板之薄板生长面侧。2.如申请专利范围第1项之薄板制造方法,其中该薄板生长面之移动方向前端部自熔液移离时点之上述薄板生长面与熔液面所成的角度为20度~60度;上述薄板生长面之移动方向末端部自熔液移离时点之上述薄板生长面与熔液面所成的角度为60度~100度。3.如申请专利范围第1项之薄板制造方法,其中该半导体材料为矽材料。4.一种太阳电池,其特征在于系使用由如申请专利范围第1项之薄板制造方法所制造的薄板。5.一种薄板之制造方法,其系藉由令配置有具薄板生长面之基板的移动体移动,使上述基板之薄板生长面与含有金属材料或半导体材料中至少一者之材料的熔液接触,而后,将上述基板之表面自上述熔液移离的一连串移动动作,令上述材料之薄板在上述基板上生长,而获得由上述材料所形成之薄板;其特征在于:基板及/或熔液系移动成自基板之薄板生长面侧观察时,溶液朝向基板之薄板生长面侧。6.一种薄板之制造方法,其系藉由令配置有具薄板生长面之基板的移动体移动,使上述基板之薄板表面与含有金属材料或半导体材料中至少一者之材料的熔液接触,而后,将上述基板主薄板生长面自上述熔液移离的一连串移动动作,令上述材料之结晶在上述基板上生长,而复得由上述材料所形成之薄板;其特征在于:上述基板自熔液移离时之轨道为圆轨道;上述生长面之移动方向前端部与上述圆轨道之回转轴中心的距离R1,系较上述生长面之移动方向末端部与上述圆轨道之回转轴中心的距离R2为小。图式简单说明:图1A~图1D系本发明薄板制造方法之原理的说明用概略图。图2A~图2D系本发明薄板制造方法之原理的说明用概略图。图3A、图3B系本发明薄板制造方法之原理的说明用概略图。图4系本发明薄板制造方法中使用之制造装置的概略断面图。图5系本发明薄板制造方法中使用之制造装置的概略斜视图。图6系本发明薄板制造方法中使用之制造装置的断面图。图7系本发明薄板制造方法中使用之装置的概略图。图8系以与多角柱各面并行之方式设置基板主薄板制造装置的侧视图。图9系多角柱型之回转冷却体的概略图。图10A、图10B系倾斜生长面基板及固定台的正视图、侧视图。图11A、图11B系倾斜生长面基板安装于固定台之状态的正视图、侧视图。图12系倾斜生长面基板的概略图。图13系将倾斜生长面基板主倾斜角度改变配置之状态的概略图。图14系本发明薄板制造方法中使用之制造装置的概略图。图15系本发明薄板制造方法中使用之制造装置的概略图。图16系倾斜角度与出液角度的关系图。图17系倾斜角度与倾斜生长面之浸渍深度之最大差的关系图。图18系倾斜角度与矽薄板之最大起伏的关系示图。图19系倾斜角度与矽薄板之最大起伏的关系示图。图20系倾斜角度与矽薄板之最大起伏的关系示图。图21系本发明薄板制造方法中使用之制造装置的概略侧视图。图22系习用薄板制造方法中使用之制造装置的概略图。 |
