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2.一种矽晶圆的制造方法,其特征为:在矽晶圆的制造方法中,利用切克劳斯基法形成电阻率为100.cm以上,初期晶格间氧浓度为8ppma以下,且参杂有氮的矽单结晶棒,然后将该矽单结晶棒加工成晶圆,并且对于该晶圆进行热处理,以于晶圆表体部形成氧析出物层。3.如申请专利范围第1项之矽晶圆的制造方法,其中,将前述参杂的氮浓度设为11012至51015个/cm3。4.如申请专利范围第2项之矽晶圆的制造方法,其中,将前述参杂的氮浓度设为11012至51015个/cm3。5.如申请专利范围第1项之矽晶圆的制造方法,其中,前述热处理系在氢气或氩气、或是氢气与氩气之混合气体的环境下,以1000至1200℃的温度进行1至20小时的热处理。6.如申请专利范围第2项之矽晶圆的制造方法,其中,前述热处理系在氢气或氩气、或是氢气与氩气之混合气体的环境下,以1000至1200℃的温度进行1至20小时的热处理。7.如申请专利范围第3项之矽晶圆的制造方法,其中,前述热处理系在氢气或氩气、或是氢气与氩气之混合气体的环境下,以1000至1200℃的温度进行1至20小时的热处理。8.如申请专利范围第4项之矽晶圆的制造方法,其中,前述热处理系在氢气或氩气、或是氢气与氩气之混合气体的环境下,以1000至1200℃的温度进行1至20小时的热处理。9.一种矽晶圆,系利用申请专利范围第1项至第8项任一项之制造方法所制造者。图式简单说明:第1图系对于CZ晶圆进行一般氧析出热处理时之初期晶格间氧浓度与残留晶格间氧浓度之关系实验结果图。第2图系对于CZ晶圆进行一般氧析出热处理时之初期晶格间氧浓度与析出物密度之关系实验结果图。第3图系习知矽晶圆之距离表面的深度与热处理前及热处理后之电阻率的关系图。第4图系习知矽晶圆之距离表面的深度与氧浓度的绝对値关系图。第5图系习知矽晶圆之深度方向的析出物分布模式图。 |
