| 主权项 |
1.一种于一半导体晶片上制作做一场氧化层(fieldoxide, FOX)之方法,该半导体晶片上包含有一矽基底,以及一垫氧化(pad oxide)层设于该矽基底表面上,该方法包含有下列步骤:于该垫氧化层表面上之一预定区域内形成一罩幕(mask);去除未被该罩幕遮盖之垫氧化层并通达至该矽基底之一预定深度;于非氮气(nitrogen)环境下通入氧气,并进行预热;以及利用一高温热氧化法,于未被该罩幕遮盖之区域形成该场氧化层。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该罩幕为一氮矽层(silicon nitride)。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该非氮气环境为一氦气(Helium, He)气氛或一氩气(Argon, Ar)气氛。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该高温热氧化法为一乾式氧化法或一湿式氧化法。5.如申请专利范围第1项之方法,其中去除部份该垫氧化层以及部份该矽基底之方法为一蚀刻(etching)制程,且该蚀刻制程会于该半导体晶片表面生成一含氮之高分子(polymer)残留物。6.如申请专利范围第5项之方法,其中该氧气可破穿(breakthrough)该蚀刻制程所残留之含氮残留物。7.一种于一半导体晶片上避免一区域场氧化法(LOCOS)发生场氧化层成长不全(fie1d oxide ungrowth, FOU)之方法,该半导体晶片上包含有一矽基底,以及一矽氧(silicon oxide)层设于该矽基底表面上,该方法包含有下列步骤:于该矽氧层表面上之一预定区域内形成一罩幕;利用一钝气(inert gas)气体作为携带气体(carrier gas)通入氧气,并进行预热;以及利用一高温热氧化法,于未被该罩幕遮盖之区域形成该场氧化层。18.如申请专利范围第7项之方法,其中该钝气为一氦气(Helium, He)或一氩气(Argon, Ar)。9.如申请专利范围第7项之方法,其中该高温热氧化法为一乾式氧化法或一湿式氧化法。10.如申请专利范围第7项之方法,其中形成该罩幕之方法包含有:于该矽氧层表面形成一氮矽层;进行一黄光制程,于该氮矽层表面定义一图案;以及进行一蚀刻制程去除多余之氮矽层以形成该罩幕。11.如申请专利范围第10项之方法,其中该蚀刻制程会于该半导体晶片表面生成一含氮之高分子(polymer)残留物。12.如申请专利范围第11项之方法,其中该氧气可破穿(breakthrough)该蚀刻制程所残留之含氮残留物。图式简单说明:图一及图二为习知于一半导体晶片上制作场氧化层之方法示意图。图三至图五为本发明于一半导体晶片上制作场氧化层之方法示意图。 |
