发明名称 用于光动力治疗之光照射装置
摘要 本发明提出一种光照射装置,适用于光动力治疗,其包括一支撑基板、设置于上述支撑基板上的复数半导体发光元件、与上述支撑基板黏接的一散热装置以及一风扇。本发明之特征在于:上述支撑基板系一半圆球状,当设置于此支撑基板上的复数半导体发光元件发光时,产生集中的光束。进一步,利用此光照射装置产生的集中光束,照射对于此光束产生化学反应的药物。
申请公布号 TW546153 申请公布日期 2003.08.11
申请号 TW090132236 申请日期 2001.12.25
申请人 财团法人工业技术研究院 发明人 罗永辉;曹宏熙;罗俊仁;魏立中;李明一;何志伟
分类号 A61N5/00 主分类号 A61N5/00
代理机构 代理人
主权项 1.一种光照射装置,适用于光动力治疗,具有一本体,于此本体内包括:一支撑基板,系半圆球形状;一复数半导体发光元件,设置于上述支撑基板上,且每一半导体发光元件朝向半圆球之圆心发射光束,且此光束具有一滙聚区域;一散热器,与上述支撑基板黏接,其中当该等半导体发光元件发光时,该散热器吸取该等半导体发光元件产生的热能;一风扇,用以移除上述散热器上的热能,且降低该光照射装置间之温度;以及一电源供应器,对于该等半导体发光元件及上述风扇是供电流。2.如申请专利范围第1项所述的光照射装置,更包括一光导管,设置于上述光束之滙聚区域,使得该等半导体发光元件发射的光束大体进入光导管中。3.如申请专利范围第1项所述的光照射装置,更包括一热导胶,将上述散热器与上述支撑基板黏接。4.如申请专利范围第1项所述的光照射装置,其中上述电源供应器系一直流电源供应器。5.如申请专利范围第1项所述的光照射装置,其中上述电源供应器系一交流直流转换电源供应器。6.如申请专利范围第1项所述的光照射装置,其中每一半导体发光元件包括:一杯状导电架;一导电架,与上述杯状导电架平行设置;一光发射二极体晶粒,设置于上述杯状导电支架,并藉由一导线将该光发射二极体晶粒与该导电架连接;以及一第一封装体,包覆上述光发射二极体晶粒、杯状导电价及导电架。7.如申请专利范围第1项所述的光照射装置,其中上述支撑基板的材料系选择自下列所组成族群:陶瓷材料、聚合物质及金属核心材料。8.如申请专利范围第6项所述的光照射装置,其中上述杯状导电架的材料系选择自下列所组成族群:铜、铜合金及铁合金。9.如申请专利范围第6项所述的光照射装置,其中更包指一导电黏接层,形成于上述杯状导电价与上述光发射二极体晶粒之间。10.如申请专利范围第9项所述的光照射装置,其中该导电黏接层系选择自下列所组成族群:银层、金层、铝层及镍层。11.如申请专利范围第1项所述的光照射装置,其中每一半导体发光元件包括:一印刷电路板,具有一导电电路以及包围该印刷电路板的一反射侧壁;一光发射二极体晶粒,设置于上述印刷电路板上,并藉由一导线将该光发射二极体晶粒与该印刷电路板之导电电路连接;以及一第一封装体,包覆上述光发射二极体晶粒及印刷电路板。12.如申请专利范围第1项所述的光照射装置,更包括一第二封装体,包覆该等半导体发光元件及该支撑基板。13.一种光照射装置,适用于光动力治疗,具有一本体,于此本体内包括:一支撑基板,系平面形状;一复数半导体发光元件,设置于上述支撑基板上,且该等半导体发光元件发射一准直光束;一正透镜,将上述准直光束集中且产生一滙聚区域;一散热器,与上述支撑基板黏接,其中当该等半导体发光元件发光时,该散热器吸取该等半导体发光元件产生的热能;一风扇,用以移除上述散热器上的热能,且降低该光照射装置内之温度;以及一电源供应器,对于该等半导体发光元件及上述风扇提供电流。14.如申请专利范围第13项所述的光照射装置,更包括一光导管,设置于上述光束之滙聚区域,使得该等半导体发光元件发射的光束大体进入光导管中。15.如申请专利范围第13项所述的光照射装置,更包括一热导胶,将上述散热器与上述支撑基板黏接。16.如申请专利范围第13项所述的光照射装置,其中上述电源供应器系一直流电源供应器。17.如申请专利范围第13项所述的光照射装置,其中上述电源供应器系一交流直流转换电源供应器。18.如申请专利范围第13项所述的光照射装置,其中每一半导体发光元件包括:一杯状导电架;一导电架,与上述杯状导电架平行设置;一光发射二极体晶粒,设置于上述杯状导电支架,并藉由一导线将该光发射二极体晶粒与该导电架连接;以及一第一封装体,包覆上述光发射二极体晶粒、杯状导电价及导电架。19.如申请专利范围第13项所述的光照射装置,其中上述支撑基板的材料系选择自下列所组成族群:陶瓷材料、聚合物质及金属核心材料。20.如申请专利范围第18项所述的光照射装置,其中上述杯状导电架的材料系选择自下列所组成族群:铜、铜合金及铁合金。21.如申请专利范围第18项所述的光照射装置,其中更包括一导电黏接层,形成于上述杯状导电价与上述光发射二极体晶粒之间。22.如申请专利范围第21项所述的光照射装置,其中该导电黏接层系选择自下列所组成族群:银层、金层、铝层及镍层。23.如申请专利范围第13项所述的光照射装置,其中每一半导体发光元件包括:一印刷电路板,具有一导电电路以及包围该印刷电路板的一反射侧壁;一光发射二极体晶粒,设置于上述印刷电路板上,并藉由一导线将该光发射二极体晶粒与该印刷电路板之导电电路连接;以及一第一封装体,包覆上述光发射二极体晶粒及印刷电路板。24.如申请专利范围第13项所述的光照射装置,更包括一第二封装体,包覆该等半导体发光元件及该支撑基板。图式简单说明:第1图系概要地显示一种习知的光照射装置;第2A图系概要地显示使用于本发明之光照射装置之一种半导体发光元件;第2B图系概要地显示使用于本发明之光照射装置之另一种半导体发光元件;第3图系概要地显示本发明之第一实施例之一光照射装置;第4图系概要地显示本发明之光照射装置之光强度分布图;第5图系概要地显示本发明之第一实施例之一光照射装置之另一种型态;第6图系概要地显示本发明之第二实施例之一光照射装置;第7A图至第7C图系分别显示本发明之光照射装置之各种范例;第8图系概要地说明PHOTOFRTN药物使用本发明之光照射装置之光动力治疗结果。
地址 新竹县竹东镇中兴路四段一九五号
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