| 主权项 |
1.一种多层闸极结构,该多层闸极结构至少包含:一掺杂多晶矽层,该掺杂多晶矽层掺杂一P型离子;一隔离层,该隔离层安置于该掺杂多晶矽层上,该隔离层具有一隔离元素;一粘着层,该粘着层安置于该隔离层上,该隔离层避免该P型离子扩散到该粘着层而降低该多层闸极结构之一接触电阻;以及,一金属层,该金属层安置于该粘着层上。2.如申请专利范围第1项所述之多层闸极结构,更包含一闸氧化层,该掺杂多晶矽层安置于该闸氧化层上。3.如申请专利范围第1项所述之多层闸极结构,其中上述之该P型离子系包含一硼离子。4.如申请专利范围第3项所述之多层闸极结构,其中上述该粘着层为一氮化钨层。5.如申请专利范围第4项所述之多层闸极结构,其中上述之该金属层为一钨金属层。6.如申请专利范围第5项所述之多层闸极结构,其中上述之该隔离层之该隔离元素系一锗元素。7.如申请专利范围第6项所述之多层闸极结构,其中该隔离层系一矽锗层,且该矽锗层系经由一化学气相沉积方式沉积而成。8.如申请专利范围第6项所述之多层闸极结构,其中该隔离层系一矽锗层,且该矽锗层系经一离子植入方式将该锗元素打入该多晶矽层而形成。9.如申请专利范围第5项所述之多层闸极结构,其中该隔离层之该隔离元素系钼(molybdenum)元素。10.如申请专利范围第5项所述之多层闸极结构,其中该隔离层之该隔离元素系钽(Tantanlum)元素。11.一种制作多层闸极结构的方法,此方法至少包含下列步骤:形成一掺杂多晶矽层,该掺杂多晶矽层掺杂一P型离子;形成一隔离层于该掺杂多晶矽层上,其中该隔离层具有一隔离元素;形成一粘着层于该隔离层上,该隔离层避免该P型离子扩散到该粘着层而降低该多层闸极结构之一接触电阻;以及,形成一金属层于该粘着层上。12.如申请专利范围第11项所述之方法,更包含在形成该掺杂多晶矽层前先形成一闸氧化层,该P型掺杂层安置于该闸氧化层上。13.如申请专利范围第11项所述之方法,其中上述之该P型离子包含一硼离子。14.如申请专利范围第13项所述之方法,其中上述该粘着层为一氮化钨层。15.如申请专利范围第14项所述之方法,其中上述之该金属层为一钨金属层。16.如申请专利范围第15项所述之方法,其中上述之该隔离层之该隔离元素系一锗元素。17.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该隔离层系一矽锗层,且该矽锗层系经由一化学气相沉积方式形成。18.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该隔离层系一矽锗层,且该矽锗层系利用一离子植入方式将锗元素打入该多晶矽层而形成。19.如申请专利范围第15项所述之方法,其中该隔离层之该隔离元素系钼(molybdenum)元素。20.如申请专利范围第15项所述之方法,其中该隔离层之该隔离元素系钽(Tantanlum)元素。图式简单说明:第一图绘示习知技术的闸极结构示意图;第二图(a)绘示本发明实施例的第一步骤示意图;第二图(b)绘示本发明实施例的第二步骤示意图;第二图(c)绘示本发明实施例的第三步骤示意图;第二图(d)绘示本发明实施例的第四步骤示意图;第二图(e)绘示本发明实施例的第五步骤示意图;第三图绘示本发明实施例之流程图;以及第四图绘示本发明较佳具体实施例之示意图。 |
