发明名称 陶瓷光学元件及其制造方法
摘要 于红外光用光学元件中,寻求尽可能使成为杂讯的可见光至近红外光不透过,并尽可能提高远红外光之透光率的材料。于ZnS、ZnSe或Ge陶瓷中含有1种或2种以上遮蔽可见光至近红外光之光线之添加剂的话,则能够得到遮蔽部分或全部可见光至近红外光之光线,且远红外光透光良好的光学元件材料。此光学元件材料由于可见光至近红外光不会形成杂讯,因此,能够提供此目的或用途最适合作为高机能红外光利用装置所用的视窗材料或透镜材料等光学元件的材料。
申请公布号 TW546487 申请公布日期 2003.08.11
申请号 TW091109877 申请日期 2002.05.13
申请人 住友电气工业股份有限公司 发明人 长谷川干人
分类号 G02B1/00 主分类号 G02B1/00
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路二段一○○号七楼之一;萧锡清 台北市中正区罗斯福路二段一○○号七楼之一
主权项 1.一种陶瓷光学元件,系使用一陶瓷作为主成分,其中0.4~3m之波长区域的透光率为50%以下,且8~12m之波长区域的透光率为50%以上。2.一种陶瓷光学元件,系使用一陶瓷作为主成分,其中0.4~3m之波长区域的透光率为30%以下,且8~12m之波长区域的透光率为50%以上。3.一种陶瓷光学元件,系使用一陶瓷作为主成分,其中0.4~3m之波长区域的透光率为5%以下,且8~12m之波长区域的透光率为50%以上。4.如申请专利范围第1项、第2项或第3项所记载之陶瓷光学元件,其中该陶瓷为硫化锌(ZnS)。5.如申请专利范围第1项、第2或第3项所记载之陶瓷光学元件,其中该陶瓷系选自硒化锌(ZnSe)以及镓(Ge)所组之族群其中之一。6.如申请专利范围第1项、第2项或第3项所记载之陶瓷光学元件,其中含有遮蔽0.4~3m之波长区域的一添加剂。7.如申请专利范围第6项所记载之陶瓷光学元件,其中该添加剂系由铁、钴、银、氧化铁、碳黑、石墨、钻石、钛黑、铜、镍、铬、金、锰、钼、钨、矽与锗之中选择1种或是2种以上的元素或是其化合物。8.一种陶瓷光学元件的制造方法,该制造方法系在硫化锌(ZnS)粉末、硒化锌(ZnSe)粉末或镓(Ge)粉末中添加一添加剂,其中该添加剂系由铁、钴、银、氧化铁、碳黑、石墨、钻石、钛黑、铜、镍、铬、金、锰、钼、钨、矽与锗之中选择1种或是2种以上的元素或是其化合物,并混合、成形与烧结。图式简单说明:第1图所绘示为以实线表示本发明第一实施例之光学特性,以虚线表示作为比较之习知ZnS之光学特性;第2图所绘示为以实线表示本发明第二实施例之光学特性,以虚线表示作为比较之习知ZnS之光学特性;第3图所绘示为以实线表示本发明第三实施例之光学特性,以虚线表示作为比较之习知ZnS之光学特性;第4图所绘示为以a~d表示本发明第四实施例之光学特性,以虚线表示作为比较之习知ZnS之光学特性;第5图所绘示为以实线表示本发明第六实施例之光学特性,以虚线表示作为比较之习知ZnSe之光学特性;以及第6图所绘示为以实线表示本发明第七实施例之光学特性,以虚线表示作为比较之习知锗之光学特性。
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