主权项 |
1.一种陶瓷光学元件,系使用一陶瓷作为主成分,其中0.4~3m之波长区域的透光率为50%以下,且8~12m之波长区域的透光率为50%以上。2.一种陶瓷光学元件,系使用一陶瓷作为主成分,其中0.4~3m之波长区域的透光率为30%以下,且8~12m之波长区域的透光率为50%以上。3.一种陶瓷光学元件,系使用一陶瓷作为主成分,其中0.4~3m之波长区域的透光率为5%以下,且8~12m之波长区域的透光率为50%以上。4.如申请专利范围第1项、第2项或第3项所记载之陶瓷光学元件,其中该陶瓷为硫化锌(ZnS)。5.如申请专利范围第1项、第2或第3项所记载之陶瓷光学元件,其中该陶瓷系选自硒化锌(ZnSe)以及镓(Ge)所组之族群其中之一。6.如申请专利范围第1项、第2项或第3项所记载之陶瓷光学元件,其中含有遮蔽0.4~3m之波长区域的一添加剂。7.如申请专利范围第6项所记载之陶瓷光学元件,其中该添加剂系由铁、钴、银、氧化铁、碳黑、石墨、钻石、钛黑、铜、镍、铬、金、锰、钼、钨、矽与锗之中选择1种或是2种以上的元素或是其化合物。8.一种陶瓷光学元件的制造方法,该制造方法系在硫化锌(ZnS)粉末、硒化锌(ZnSe)粉末或镓(Ge)粉末中添加一添加剂,其中该添加剂系由铁、钴、银、氧化铁、碳黑、石墨、钻石、钛黑、铜、镍、铬、金、锰、钼、钨、矽与锗之中选择1种或是2种以上的元素或是其化合物,并混合、成形与烧结。图式简单说明:第1图所绘示为以实线表示本发明第一实施例之光学特性,以虚线表示作为比较之习知ZnS之光学特性;第2图所绘示为以实线表示本发明第二实施例之光学特性,以虚线表示作为比较之习知ZnS之光学特性;第3图所绘示为以实线表示本发明第三实施例之光学特性,以虚线表示作为比较之习知ZnS之光学特性;第4图所绘示为以a~d表示本发明第四实施例之光学特性,以虚线表示作为比较之习知ZnS之光学特性;第5图所绘示为以实线表示本发明第六实施例之光学特性,以虚线表示作为比较之习知ZnSe之光学特性;以及第6图所绘示为以实线表示本发明第七实施例之光学特性,以虚线表示作为比较之习知锗之光学特性。 |