| 主权项 |
1.一种金氧半导体元件之闸极至基体的电流之量测方法,至少包括:提供一金氧半导体,其中该金氧半导体为一部份空乏绝缘层上有矽(SOI)金氧半导体;提供连接至该金氧半导体之一汲极的一脉波产生器;提供连接至该金氧半导体之一源极的一量测设备;于该金氧半导体之该闸极提供一偏压电压;利用该脉波产生器提供一方波脉波信号输入至该金氧半导体之该汲极,且该方波脉波信号具有一脉波信号最低准位和一脉波信号最高准位;利用该量测设备对该金氧半导体之该源极进行一量测步骤,得到该金氧半导体的一源极电流之一波形,其中该波形具有一斜率;计算该斜率;计算该金氧半导体之一基体电导;计算该金氧半导体之一基体电容;以及利用该斜率乘以该基体电容,再除以该基体电导藉以得到该金氧半导体之该闸极至该基体的一电流。2.如申请专利范围第1项所述之量测方法,其中上述之金氧半导体不具有基体接触。3.如申请专利范围第1项所述之量测方法,其中上述之量测设备为一示波器。4.如申请专利范围第1项所述之量测方法,其中上述之脉波产生器具有一50欧姆输出电阻。5.如申请专利范围第1项所述之量测方法,其中上述之量测设备具有一50欧姆输入电阻。6.如申请专利范围第1项所述之量测方法,其中上述之偏压电压为一直流偏压电压。7.如申请专利范围第1项所述之量测方法,其中上述之偏压电压的电压値为使该金氧半导体保持在一三极体工作区。8.如申请专利范围第1项所述之量测方法,其中上述之方波脉波信号的该脉波信号最低准位不低于0伏特。9.如申请专利范围第1项所述之量测方法,其中上述之基体电容为该金氧半导体之该闸极至该金氧半导体之该基体间的一第一电容、该金氧半导体之该汲极至该金氧半导体之该基体间的一第二电容和该金氧半导体之该源极至该基体间的一第三电容之总和。10.如申请专利范围第1项所述之量测方法,其中上述之基体电导为该金氧半导体之一汲极电流对该金氧半导体之一基体电压的一偏微分値。11.一种金氧半导体元件之闸极至基体的电流之量测方法,系应用具有部份空乏绝缘层上有矽的结构之一金氧半导体上,该量测方法至少包括:提供该金氧半导体;于该金氧半导体之该闸极提供一偏压电压,用以对该金氧半导体进行偏压;提供一脉波信号输入至该金氧半导体之一汲极;对该金氧半导体之一源极进行一量测步骤,得到该金氧半导体的一源极电流之一波形,其中该波形具有一斜率;计算该斜率;计算该金氧半导体之一基体电导;计算该金氧半导体之一基体电容;以及利用该斜率乘以该基体电容,再除以该基体电导得到该金氧半导体之该闸极至该基体的一电流。12.如申请专利范围第11项所述之量测方法,其中上述之金氧半导体没有基体接触。13.如申请专利范围第11项所述之量测方法,其中上述之脉波信号系由连接至该金氧半导体之该汲极的一脉波产生器所产生。14.如申请专利范围第13项所述之量测方法,其中上述之脉波产生器具有一50欧姆的输出电阻。15.如申请专利范围第11项所述之量测方法,其中上述之量测步骤是利用连接至该金氧半导体之该源极的一量测设备所进行。16.如申请专利范围第15项所述之量测方法,其中上述之量测设备为一示波器。17.如申请专利范围第15项所述之量测方法,其中上述之量测设备具有一50欧姆的输入电阻。18.如申请专利范围第11项所述之量测方法,其中上述之偏压电压为一直流偏压电压。19.如申请专利范围第11项所述之量测方法,其中上述之偏压电压的电压値为使该金氧半导体保持在一三极体工作区。20.如申请专利范围第11项所述之量测方法,其中上述之脉波信号为一方波脉波信号,且具有一脉波信号最低准位和一脉波信号最高准位。21.如申请专利范围第20项所述之量测方法,其中上述之方波脉波信号的该脉波信号最低准位不低于0伏特。22.如申请专利范围第11项所述之量测方法,其中上述之基体电容为该金氧半导体之该闸极至该金氧半导体之该基体间的一第一电容、该金氧半导体之该汲极至该金氧半导体之该基体间的一第二电容和该金氧半导体之该源极至该基体间的一第三电容之总和。23.如申请专利范围第11项所述之量测方法,其中上述之基体电导为该金氧半导体之一汲极电流对该金氧半导体之一基体电压的一偏微分値。图式简单说明:第1图系绘示本发明之一实施例的电路示意图。第2图系绘示本发明之一实施例的详细电路示意图。第3图系绘示根据第2图的本发明之一实施例中于汲极至源极间之电压(VDS)的波形图。第4图系绘示根据第2图的本发明之一实施例中MOS元件自源极输出的电流(IDS)之波形图。第5图系绘示当MOS元件的源极电流受到闸极至基体间的电流之影响时,利用模拟软体进行模拟量测于源极处所得的电流波形图。第6图系绘示当MOS元件的源极电流未受到闸极至基体间的电流之影响时,利用模拟软体进行模拟量测于源极处所得的电流波形图。 |
