| 主权项 |
1.一种于半导体反应室内乾式蚀刻完成后降低含氟聚合物之方法,该方法至少包含:调降该反应室内晶片基座之氦气流量压力,藉以提升晶片表面温度;传送含有氢成份的气体进入该反应室;传送氮气体进入该反应室;以及传送氧气进入该反应室。2.如申请专利范围第1项之方法,其中调降反应室内晶片基座之氦气流量压力、传送含有氢成份之气体、传送氮气体和传送氧气进入该反应室之制程步骤均控制在同一时间启始和同一时间结束。3.如申请专利范围第1项之方法,其中调降该反应室内晶片基座之氦气流量压力、传送含有氢成份之气体、传送氮气体和传送氧气进入该反应室之制程时间是控制在10至20秒。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之含氢气体包含CH3F。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之含氢气体包含CH2F2。6.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之含氢气体包含CHF3。7.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之传送含有氢成份的气体进入该反应室之流量控制在10标准立方公分/分钟(sccm)至20标准立方公分/分钟(sccm)之间。8.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之传送氮气体进入该反应室之流量控制在10标准立方公分/分钟(sccm)至20标准立方公分/分钟(sccm)之间。9.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之传送氧气体进入该反应室之流量控制在10标准立方公分/分钟(sccm)至20标准立方公分/分钟(sccm)之间。10.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之反应室气体压力控制在80毫拖耳(mT)至150毫拖耳(mT)之间。11.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之调降该反应室内晶片基座之氦流量压力控制在6拖耳(T)至8拖耳(T)之间。12.如申请专利范围第1项之方法,其中上述反应室之无线电波波频(RF)电源控制在1000瓦至1600瓦之间。13.一种于半导体反应室内乾式蚀刻完成后降低含氟聚合物之方法,该方法至少包含:调降该反应室内晶片基座之氦气流量压力,藉以提升晶片表面温度;传送含有氢成份的气体进入该反应室;传送氮气体进入该反应室;传送氧气进入该反应室;以及传送氩气进入该反应室。14.如申请专利范围第13项之方法,其中调降反应室内晶片基座之氦气流量压力、传送含有氢成份之气体、传送氮气体、传送氧气和氢气进入该反应室之制程步骤均控制在同一时间启始和同一时间结束。15.如申请专利范围第13项之方法,其中调降该反应室内晶片基座之氦气流量压力、传送含有氢成份之气体、传送氮气体、传送氧气和氩气进入该反应室之制程时间是控制在10至20秒。16.如申请专利范围第13项之方法,其中上述之含氢气体包含CH3F。17.如申请专利范围第13项之方法,其中上述之含氢气体包含CH2F2。18.如申请专利范围第13项之方法,其中上述之含氢气体包含CHF3。19.如申请专利范围第13项之方法,其中上述之传送含有氢成份的气体进入该反应室之流量控制在10标准立方公分/分钟(sccm)至20标准立方公分/分钟(sccm)之间。20.如申请专利范围第13项之方法,其中上述之传送氮气体进入该反应室之流量控制在10标准立方公分/分钟(sccm)至20标准立方公分/分钟(sccm)之间。21.如申请专利范围第13项之方法,其中上述之传送氧气体进入该反应室之流量控制在10标准立方公分/分钟(sccm)至20标准立方公分/分钟(sccm)之间。22.如申请专利范围第13项之方法,其中上述之传送氩气体进入该反应室之流量不大于150标准立方公分/分钟(sccm)。23.如申请专利范围第13项之方法,其中上述之反应室气体压力控制在80毫拖耳(mT)至150毫拖耳(mT)之间。24.如申请专利范围第13项之方法,其中上述之调降该反应室内晶片基座之氦气流量压力控制在6拖耳(T)至8拖耳(T)之间。25.如申请专利范围第13项之方法,其中上述反应室之无线电波波频(RF)电源控制在1000瓦至1600瓦之间。图式简单说明:第一图为在半导体底材上形成接触窗,金属连接洞之半导体晶圆截面视图;第二图为沈积在金属连接洞底部之碳氟聚合物半导体晶圆之截面视图;第三图为完成平坦化处理介电层步骤之半导体晶圆截面视图;第四图为依照本发明形成接触孔洞步骤之半导体晶圆截面视图;第五图为半导体晶圆晶座之概略图。 |
