| 主权项 |
1.一种第Ⅲ族氮化物系化合物半导体发光元件,其系具有在同一面上所形成的p端电极与n端电极者,其具备有:包含有形成于该p端电极表面上之Au的p端电极膜;以及包含有形成于该n端电极表面上之Au的n端电极膜。2.如申请专利范围第1项之第Ⅲ族氮化物系化合物半导体发光元件,其中,上述p端电极膜系由复数层所构成者,而该复数层包含有:选自Ti、Cr、W、Mo、Ta、Zr、及V所组成之组群中之金属或该等金属的合金所构成之基底层;及由在该基底层上所形成之Au或Au合金所构成之上层。3.如申请专利范围第2项之第Ⅲ族氮化物系化合物半导体发光元件,其中,上述基底层系由Ti或Ti合金所构成。4.如申请专利范围第1项之第Ⅲ族氮化物系化合物半导体发光元件,其中,上述n端电极膜系由复数层所构成者,而该复数层包含有:选自Ti、Cr、W、Mo、Ta、Zr、及V所组成之组群中之金属或该金属的合金所构成之基底层;及由在该基底层上所形成之Au或Au合金所构成之上层。5.如申请专利范围第4项之第Ⅲ族氮化物系化合物半导体发光元件,其中,上述基底层系由Ti或Ti合金所构成。6.如申请专利范围第1项之第Ⅲ族氮化物系化合物半导体发光元件,其中,上述p端电极膜与上述n端电极膜系相同的层构造。7.如申请专利范围第1项之第Ⅲ族氮化物系化合物半导体发光元件,其中,上述p端电极膜系覆盖着上述p端电极的表面整体所形成。8.如申请专利范围第1项之第Ⅲ族氮化物系化合物半导体发光元件,其中,上述n端电极膜系覆盖着上述n端电极的表面整体所形成。9.一种发光装置,系包含有:第Ⅲ族氮化物系化合物半导体发光元件,具有在同一面上形成的p端电极与n端电极,并具有:包含有形成于该p端电极表面上之Au的p端电极膜;及包含有形成于该n端电极表面上之Au的n端电极膜;以及安装上述发光元件的支撑体。10.如申请专利范围第9项之发光装置,其中,上述发光元件系介以Au凸块而安装于支撑体上。11.如申请专利范围第9项之发光装置,其中,上述支撑体系具有连接于上述p端电极上之p端区域,及连接于上述n端电极上之n端区域的基板。12.如申请专利范围第9项之发光装置,其中,上述支撑体系具有连接于上述p端电极与上述n端电极上之配线图案的基板。13.如申请专利范围第9项之发光装置,其中,上述p端电极膜系由复数层所构成者,而该复数层包含有:选自Ti、Cr、W、Mo、Ta、Zr、及V所组成之组群中之金属或该金属的合金所构成之基底层;及由在该基底层上所形成之Au或Au合金所构成之上层。14.如申请专利范围第13项之发光装置,其中,上述基底层系由Ti或Ti合金所构成。15.如申请专利范围第9项之发光装置,其中,上述n端电极膜系由包含有:选自Ti、Cr、W、Mo、Ta、Zr、及V所组成之组群中之金属或该金属的合金所构成之基底层;及由在该基底层上所形成之Au或Au合金所构成之上层。16.如申请专利范围第15项之发光装置,其中,上述基底层系由Ti或Ti合金所构成。17.如申请专利范围第9项之发光装置,其中,上述p端电极膜与上述n端电极膜系相同的层构造。18.如申请专利范围第9项之发光装置,其中,上述p端电极膜系覆盖着上述p端电极的表面整体所形成。19.如申请专利范围第9项之发光装置,其中,上述n端电极膜系覆盖着上述n端电极的表面整体所形成。图式简单说明:图1为本发明一实施例的发光元件示意图。图2为采用发光元件所构成的LED示意图。图3为LED中杯状部附近的放大图。图4为采用发光元件所构成之SMD式LED示意图。 |
