| 主权项 |
1.一种发光元件,其特征为在基板上设置的一对电极间具有至少含一种选自于下述通式(I)所示化合物之发光材料与主要材料的发光层,及连接于该发光层、在该发光层与阴极之间具有较主要材料之离子化电位大的离子化电位之有机膜,通式(I)其中,R1.R2.R3.R4及R5系表示相同或不同的氢原子或取代基,X系表示氧原子、硫原子、N-RY1,(RY1系表示氢原子或取代基),L系表示由共轭键所成的连结基,RX及RY系表示相同或不同的氢原子或取代基且至少一个为电子吸引性基。2.如申请专利范围第1项之发光元件,其中有机膜之离子化电位与发光层之主要材料之离子化电位的差为0.01eV~2eV。3.如申请专利范围第1项之发光元件,其中有机膜之离子化电位为5.7eV~7.0eV。4.如申请专利范围第1项之发光元件,其中有机膜由至少一种选自于通式(V)~(XI)所示化合物之化合物所成,其中,通式(V)中R55及R56系表示相同或不同的烷基、芳基、杂环基,X5系表示氧原子、硫原子、N-RY5(RY5系表示氢原子或取代基),通式(VI)中A系表示含有二个以上杂原子之杂环基、以A表示之杂环基可以相同或不同,m6系表示2以上之整数,L系表示连结基,于通式(VII)中R71系表示取代基,R72系表示氢原子、脂肪族基、芳基、或芳香族杂环基,M系表示金属原子,n7系表示0~6之整数,m7系表示2或3,惟m7=3时n7≠0,于通式(VIII)中X81系表示氮原子或C-R81,X82系表示氧原子、硫原子或N-RY8,R81.R82.R83.RY8系表示相同或不同的氢原子或取代基,R81与R82可以键结形成环,R84系表示氢原子、烷基、芳基或芳香族杂环基,M系表示金属原子,n8系表示0~4~之整数,m8系表示2~3,于通式(IX)中R91系表示取代基,数个R91可以互相键结形成缩台环,R92~R94系表示相同或不同的氢原子或取代基,m9系表示0~5之整数,于通式(X)中R101及R102系表示相同或不同的氢原子或取代基,R103~R106系表示相同或不同的取代基,L10系表示连结基,m10.n10.p10及q10系表示相同或不同的0~5之整数,于通式(XI)中Ar111系表示3价伸芳基,Ar112~Ar114系表示相同或不同的芳基。5.如申请专利范围第1项之发光元件,其中通式(I)记载之化合物为通式(II)所示之化合物,通式(II)其中,R1.R2.R3.R4及R5系表示相同或不同的氢原子或取代基,X系表示氧原子、硫原子、N-RY1,(RY1系表示氢原子或取代基),Z2系表示形成5~6碳环所需之原子群,L21及L22系表示相同或不同的次甲基、取代次甲基或氮原子,n系表示0~3之整数,Ar系表示伸芳基或二价芳香族杂环基。6.如申请专利范围第5项之发光元件,其中通式(II)记载之化合物为通式(III)所示之化合物,通式(III)其中,R1.R2.R3.R4.R5.R31.R32.R33及R34系表示相同或不同的氢原子或取代基,Z3系表示形成5~6碳环所需之原子群,L21及L22系表示相同或不同的次甲基、取代次甲基或氮原子,n系表示0~3之整数。7.如申请专利范围第6项之发光元件,其中通式(III)记载之化合物为通式(IV)所示的化合物,通式(IV)其中,R1.R2.R3.R4.R5.R31.R32.R33.R34.R41.R42.R43及R44系表示相同或不同的氢原子或取代基,RA1及RA2系表示相同或不同的氢原子或取代基,视其所需RA1及RA2可键结、另与其他取代基键结形成环。8.如申请专利范围第1项之发光元件,其中主要材料为铝衍生物。9.如申请专利范围第1至8项中任一项之发光元件,其中至少一种选自于通式(I)~(IV)所示化合物在发光层之含量为0.01~50质量%。10.如申请专利范围第4至8项中任一项之发光元件,其中至少一种选自于通式(V)~(XI)所示化合物在有机膜之含量为50~100质量%。 |
