发明名称 修整工具、修整装置、修整方法、加工装置、以及半导体元件制造方法
摘要 由用以保持、并使具有轮圈圆盘状垫面15a之研磨垫15旋转的垫保持机构10,具有大致为长方形状之修整面3的修整工具2,以及将修整面3对向于研磨垫15(被垫保持机构10保持、旋转)之垫面15a来保持修整工具2的修整工具保持机构1,来构成修整装置DA。修整工具保持机构1,将所保持之修整工具2,以修整面3宽度方向中心线 L1向垫面15a之半径方向延伸的面向状态,抵接于垫面15a来进行修整。据此,能提升修整后加工面之平坦性。
申请公布号 TW546182 申请公布日期 2003.08.11
申请号 TW091120636 申请日期 2002.09.10
申请人 尼康股份有限公司 发明人 星野进;山本 荣一;三井 贵彦
分类号 B24B37/00 主分类号 B24B37/00
代理机构 代理人 林镒珠 台北市中山区长安东路二段一一二号九楼
主权项 1.一种修整工具,系用以进行具有轮圈圆盘状或圆盘状加工面之加工工具之修整,其特征在于:具有抵接于前述加工工具之加工面以进行修整之略呈长方形的修整面,该修整面系配置成,该修整面之前述略呈长方形之短边方向中心线在进行修整时,与通过前述加工工具之前述轮圈圆盘状或圆盘状加工面中心之半径方向一致。2.如申请专利范围第1项之修整工具,其中,前述短边方向中心线平行延伸之前述略呈长方形之两长边形状,在将前述修整面抵接于前述加工面时,前述加工面与前述修整面之接触长度,在前述加工面之所有径方向位置皆相等之形状。3.一种修整装置,其特征在于,具备:保持具有轮圈圆盘状或圆盘状加工面之加工工具,以垂直于前述加工面、通过前述轮圈圆盘或圆盘中心之轴为中心使用其旋转的加工工具保持机构;以及申请专利范围第1项之修整工具。4.如申请专利范围第3项之修整装置,其中,具有复数个前述修整工具,此等复数个修整工具系配置成同时修整前述加工面。5.一种加工装置,其特征在于:具有以申请专利范围第1项之修整工具加以修整之前述加工工具。6.一种加工装置,其特征在于:具有以申请专利范围第3项之修整装置加以修整之前述加工工具。7.一种修整工具,用以修整具有圆形外周之加工工具的加工面,其特征在于:具备修整面,系由具第1单位面积之切削能力的圆形区域,与具较第1单位面积之切削能力为高之第2单位面积之切削能力、对前述圆形区域为同心状之圆环区域所构成;前述修整面之前述圆形区域之直径,大于前述加工面半径内之有效使用宽度,前述修整面之前述圆环区域之外径,约为前述加工面外径的一半。8.一种修整工具,用以修整具有圆形外周之加工工具的加工面,其特征在于:具备修整面,系由研磨粒以第1平均分布密度分布之圆形区域,与研磨粒以高于第1平均分布密度之第1平均分布密度分布、对前述圆形区域为同心状之圆环区域所构成;前述修整面之前述圆形区域之直径,大于前述加工面半径内之有效使用宽度,前述修整面之前述圆环区域之外径,约为前述加工面外径的一半。9.如申请专利范围第8项之修整工具,其中,前述第1平均分布密度为前述第2平均分布密度之10%-50%。10.一种修整装置,其特征在于,具备:申请专利范围第7项之修整工具,以及使该修整工具旋转之旋转机构。11.一种修整方法,系使被基材所支撑之加工工具之加工面与修整工具之修整面抵接,藉相对移动前述基材与前述修整工具,来修整前述加工面,其特征在于,具备:设定阶段,系调整、设定以前述基材作为基准之前述修整面之相对倾斜为期望倾斜;以及修整阶段,系一边保持以前述设定阶段所设定之前述相对倾斜,一边修整前述加工面。12.如申请专利范围第11项之修整方法,其中,前述设定阶段包含获得对应前述加工面表面形状之资讯的阶段,与根据前述资讯调整、设定前述相对倾斜的阶段。13.如申请专利范围第11项之修整方法,其中,包含交互重复复数次前述设定阶段与前述修整阶段的阶段。14.如申请专利范围第11项之修整方法,其中,前述修整阶段之前述加工面之修整,系在前述修整面之一部分从前述加工面之周围突出的状态下进行。15.如申请专利范围第11项之修整方法,其中,前述相对倾斜,系相对通过前述加工面中心附近及前述修整面中心附近之直线,绕大致与此正交之既定轴线周围的倾斜。16.一种修整装置,系使被基材所支撑之加工工具之加工面与修整工具之修整面抵接,藉相对移动前述基材与前述修整工具,来修整前述加工面,其特征在于,具备:倾斜调整机构,系能调整、设定以前述基材作为基准之前述修整面之相对倾斜为期望倾斜;以及移动机构,系一边保持以前述倾斜调整机构设定之前述相对倾斜,一边使前述基材与前述修整工具相对移动以修整前述加工面。17.如申请专利范围第16项之修整装置,其系用以修整具有圆形外周之加工工具之加工面,前述修整工具具备修整面,由具第1单位面积之切削能力的圆形区域,与具较第1单位面积之切削能力为高之第2单位面积之切削能力、对前述圆形区域为同心状之圆环区域所构成;前述修整面之前述圆形区域之直径,大于前述加工面半径内之有效使用宽度,前述修整面之前述圆环区域之外径,约为前述加工面外径的一半。18.如申请专利范围第16项之修整装置,其中,具备控制部,以根据对应前述加工面表面形状之资讯,使前述倾斜调整机构动作,以使前述相对倾斜成为期望之倾斜。19.如申请专利范围第18项之修整装置,其中,具备测量部,以取得前述资讯。20.一种修整装置,系使被基材所支撑之加工工具之加工面与修整工具之修整面抵接,藉相对移动前述基材与前述修整工具,来修整前述加工面,其特征在于,具备:倾斜调整机构,系能调整、设定以前述基材作为基准之前述修整面之相对倾斜为期望倾斜;移动机构,系一边保持以前述倾斜调整机构设定之前述相对倾斜,一边使前述基材与前述修整工具相对移动以修整前述加工面;测量部,以取得对应前述加工面表面形状之资讯;以及控制部,系回应既定之指令信号,以(i)使前述移动机构动作以进行前述修整、(ii)于前述(i)之修整后,根据从前述测量部取得之前述资讯,判定现在设定之前述相对倾斜是否为期望之倾斜、(iii)于前述(ii)中判定为期望之倾斜时,即结束前述相对倾斜之调整、(iv)于前述(ii)中判定非为期望之倾斜时,在使前述倾斜调整机动作,以使前述相对倾斜成为期望之倾斜或接近此之倾斜后,重复前述(i)以后之动作。21.如申请专利范围第11项之修整装置,其系用以修整具有圆形外周之加工工具之加工面,前述修整工具具备修整面,由具第1单位面积之切削能力的圆形区域,与具较第1单位面积之切削能力为高之第2单位面积之切削能力、对前述圆形区域为同心状之圆环区域所构成;前述修整面之前述圆形区域之直径,大于前述加工面半径内之有效使用宽度,前述修整面之前述圆环区域之外径,约为前述加工面外径的一半。22.如申请专利范围第16项之修整装置,其中,前述加工面之修整,系在前述修整面之一部分从前述加工面之周围突出的状态下进行。23.如申请专利范围第20项之修整装置,其中,前述加工面之修整,系在前述修整面之一部分从前述加工面之周围突出的状态下进行。24.如申请专利范围第16项之修整装置,其中,前述相对倾斜,系相对通过前述加工面中心附近及前述修整面中心附近之直线,绕大致与此正交之既定轴线周围的倾斜。25.如申请专利范围第20项之修整装置,其中,前述相对倾斜,系相对通过前述加工面中心附近及前述修整面中心附近之直线,绕大致与此正交之既定轴线周围的倾斜。26.一种加工装置,具备具有加工面之加工工具,与保持被加工物之保持部,于前述加工工具之前述加工面与前述被加工物之间施加负载,藉相对移动前述加工工具与前述被加工物,来加工前述被加工物,其特征在于:前述加工面系以申请专利范围前述第11项之修整方法加以修整者。27.一种加工装置,具备具有加工面之加工工具,与保持被研磨物之保持部,于前述加工工具之前述加工面与前述被研磨物之间施加负载,藉相对移动前述加工工具与前述被研磨物,来加工前述被研磨物,其特征在于:前述加工面系以申请专利范围第16项之修整装置加以修整者。28.一种加工装置,具备具有加工面之加工工具,与保持被研磨物之保持部,于前述加工工具之前述加工面与前述被研磨物之间施加负载,藉相对移动前述加工工具与前述被研磨物,来加工前述被研磨物,其特征在于:前述加工面系以申请专利范围第20项之修整装置加以修整者。29.一种加工装置,具备具有加工面之加工工具,与保持被加工物之保持部,于前述加工工具之前述加工面与前述被加工物之间施加负载,藉相对移动前述加工工具与前述被加工物,来加工前述被加工物,其特征在于:具备申请专利范围第16项之修整装置。30.一种加工装置,具备具有加工面之加工工具,与保持被加工物之保持部,于前述加工工具之前述加工面与前述被加工物之间施加负载,藉相对移动前述加工工具与前述被加工物,来加工前述被加工物,其特征在于:具备申请专利范围第20项之修整装置。31.一种半导体元件制造方法,其特征在于:具有使用申请专利范围第5.6.26-30项中任一项之加工装置,来使半导体晶圆表面平坦化之制程。图式简单说明:图1,系以示意方式显示本发明一实施形态之修整装置之构成的概略构成图。图2,系显示图1所示之修整装置中研磨垫与修整装置之位置关系的概略俯视图。图3,系显示使用长方形之修整工具来进行修整时之研磨垫面平坦性之模拟结果的图。图4,系显示本发明之长方形修整工具与研磨垫之接触长度关系的说明图。图5,系显示进行使本发明之长方形修整工具中,与研磨垫之周方向接触长度完全相等之修正时,左右边形状之例的图。图6,系显示本发明一实施形态之修整装置的概略俯视图。图7,系显示本发明一实施形态之修整装置之构成的概略构成图。图8,系以示意方式显示使用图7所示之修整装置进磨垫之修整时,修整工具之修整面与研磨垫之位置关系的概略俯视图。图9,系以示意方式显示图7所示之修整装置所使用之修整工具的概略放大截面图。图10,系显示修整后研磨垫之厚度分布之模拟结果的图。图11,系显示修整后研磨垫之厚度分布之另一模拟结果的图。图12,系以示意方式显示本发明之一实施形态之研磨装置之构成的概略构成图。图13,系以示意方式显示图12所示之研磨装置之研磨垫的修整时,修整工具之修整面与研磨垫之位置关系的概略俯视图。图14,系显示倾斜调整控制动作的概略流程图。图15,系以示意方式显示本发明之一实施形态之修整装置之构成的概略构成图。图16,系以示意方式显示图15所示之修整装置中,修整工具之修整面与研磨垫之位置关系的概略俯视图。图17,系显示半导体元件制程的流程图。图18,系显示习知之修整装置之构成及修整后加工面形状的概略图及截面图。
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