| 主权项 |
1.一种半导体层,其为太阳电池中所用之半导体层,由粒度分布中具有复数波峰之半导体粒子群所构成。2.如申请专利范围第1项之半导体层,其中半导体粒子群为由平均粒径彼此不同之第一半导体粒子群和第二半导体粒子群所构成,且第一半导体粒子群之平均粒径为小于第二半导体粒子群之平均粒径。3.如申请专利范围第2项之半导体层,其中第一半导体粒子群及第二半导体粒子群之平均粒径为100nm以下。4.如申请专利范围第2项或第3项之半导体层,其中第一半导体粒子群及第二半导体粒子群之平均粒径分别为123nm及234nm之范围。5.如申请专利范围第4项之半导体层,其中第一半导体粒子群之平均粒径相对于第二半导体粒子群之平均粒径之比为约0.3至0.8。6.如申请专利范围第5项之半导体层,其中第二半导体粒子群相对于第一半导体粒子群,以重量计,为配合2/3倍量以上。7.如申请专利范围第1项或第2项之半导体层,其中半导体粒子群为锐钛矿型二氧化钛。8.如申请专利范围第1项或第2项之半导体层,其可再含有金红石型二氧化钛做为半导体粒子。9.如申请专利范围第8项之半导体层,其中金红石型二氧化钛之平均粒径为10020nm。10.如申请专利范围第9项之半导体层,其中金红石型二氧化钛,相对于第一及第二半导体粒子之合计重量为配合20重量%以下之份量。11.如申请专利范围第1项之半导体层,其可再含有增感色素和/或粘结剂。12.如申请专利范围第11项之半导体层,其中相对于半导体粒子全重量,系配合1至99重量%之粘结剂。13.一种太阳电池,其特征为于具有半导体层之太阳电池中,半导体层系使用如申请专利范围第1项至第12项中任一项之半导体层。14.如申请专利范围第13项之太阳电池,其为设置蓄电手段及/或直流/交流转换手段者。15.如申请专利范围第13项或第14项之太阳电池,其中光能量转换效率为超过5%。16.如申请专利范围第13项或第14项之太阳电、池,其为设置有可追随白天中之太阳光移动之手段。17.一种如申请专利范围第1项至第12项中任一项之半导体层之制造方法,其特征为,于粒度分布中,将含有具有复数波峰之半导体粒子群之胶体状溶液予以烧而成者。18.如申请专利范围第13项或第14项之太阳电池,其系用于电极供应装置以做为发生电力之手段。图式简单说明:图1为本发明一实施型态之太阳电池的制造工程概略图。图2为本发明一实施型态之太阳电池的概略图。图3为示出平均粒径为12nm之半导体粒子之电子显微镜照片。图4为示出平均粒径为23nm之半导体粒子之电子显微镜照片。 |
