| 主权项 |
1.一种雷射装置,包括:一雷射光源,其系用以发射具有已决定之波长及已决定之脉冲宽度之参考雷射脉冲光;多根光纤,其具有不同的传播光之传播延迟特性;分光装置,其系用以将雷射光源发射的参考雷射脉冲光划分成为多片光俾传播划分后之每一片参考雷射脉冲光通过多条光纤之一;以及光组合装置,其系用以将通过多根光纤传播且自多根光纤发射之划分后的多片参考雷射脉冲光接续设置成彼此并联,以及发射雷射脉冲光,其具有脉冲宽度大于该参考雷射脉冲光之脉冲宽度。2.如申请专利范围第1项之雷射装置,其中该光组合装置包括:波长改变装置,其系用以将由多条光纤发射的划分后多片参考雷射脉冲光波长改变成比已决定之波长更短的波长;以及一光学系统,其系用以将波长已经藉波长改变装置而改变后的多片雷射脉冲先彼此接续并联设置,以及发射雷射脉冲光其具有脉冲宽度系大于参考雷射脉冲光之脉冲宽度。3.如申请专利范围第2项之雷射装置,其中该波长改变装置包括至少一个非线性光晶用以基于入射光产生n-次幂谐波(n为2或2以上之整数)。4.如申请专利范围第2项之雷射装置,其中该波长改变装置包括:一第一非线性光晶,其系用于接收由多条光纤发射出经划分后之多片参考雷射脉冲光,产生多个第二谐波,以及发射多片经划分后之参考雷射脉冲光及多数第二谐波;以及一第二非线性光晶,其系用以基于由第一非线性光晶发射的多片经划分后之参考雷射脉冲光及多数第二谐波而产生第三谐波;以及该光学系统接续设置由第二非线性光晶发射之多数第三谐波彼此并联,以及发射雷射脉冲光其具有脉冲宽度大于参考雷射脉冲光之脉冲宽度。5.如申请专利范围第1项之雷射装置,其中该多根光纤各自设定于不同传播长度,让各片雷射脉冲光循序发射而其传播延迟时间系对应参考雷射脉冲光之脉冲宽度。6.如申请专利范围第2项之雷射装置,其中该多根光纤各自设定于不同传播长度,让各片雷射脉冲光循序发射而其传播延迟时间系对应参考雷射脉冲光之脉冲宽度。7.一种雷射装置,包括:一雷射光源,其系用以发射具有已决定之波长及已决定之脉冲宽度之参考雷射脉冲光;多数光纤放大器,各放大器具有传播光之不同传播延迟特性,其系用以使用对应供应该放大器之激发光强度之增益而放大该传播光;激发光供给装置,其系用以供给激发光给多数光纤放大器;光划分装置,其系用以将雷射光源发射及参考雷射脉冲光划分为多片光,俾传播划分后多片参考雷射脉冲光各别通过多数光纤放大器之一;以及光组合装置,其系用以将传播通过多数光纤放大器且由多数光纤放大器发射之经划分后之多片参考雷射脉冲光接续彼此并联设置,以及发射雷射脉冲光其具有脉冲宽度大于参考雷射脉冲光之脉冲宽度。8.如申请专利范围第7项之雷射装置,其中该光组合装置包括:波长改变装置,其系用以将多数光纤放大器发射至经划分后之多片参考雷射脉冲光波长改变成比已决定之波长更短的波长;以及一光学系统,其系用以将其波长藉波长改变装置改变后之多片参考雷射脉冲光接续彼此并联设置,以及发射雷射脉冲光其具有脉冲宽度系大于参考雷射脉冲光之脉冲宽度。9.如申请专利范围第8项之雷射装置,其中该波长改变装置包括一非线性光晶,其系用以基于入射光产生n-次幂谐波(n为2或2以上之整数)。10.如申请专利范围第8项之雷射装置,其中该波长改变装置包括:一第一非线性光晶,其系用于接收由多数光纤放大器发射之经划分后之多片参考雷射脉冲光,产生多数第二谐波,以及发射经划分后之多片参考雷射脉冲光及多数第二谐波;以及一第二非线性光晶,其系用以基于由第一非线性光晶发射的经划分后之多片参考雷射脉冲光及多数第二谐波而产生第三谐波;以及光学系统,其系用以接续并联设置由第二非线性光晶发射之多数第三谐波,且发射雷射脉冲光其具有脉冲宽度大于参考雷射脉冲光之脉冲宽度。11.如申请专利范围第7项之雷射装置,其中该多数光纤放大器各自设定于不同传播长度,因此各片雷射脉冲光系以对应于参考雷射脉冲光脉冲宽度之传播延迟时间循序发射。12.如申请专利范围第8项之雷射装置,其中该多数光纤放大器各自设定于不同传播长度,因此各片雷射脉冲光系以对应于参考雷射脉冲光脉冲宽度之传播延迟时间循序发射。13.如申请专利范围第7项之雷射装置,其中该供给多数光纤放大器之激发光长对各该多数光纤放大器系设定于已决定之値。14.如申请专利范围第8项之雷射装置,其中该供给多数光纤放大器之激发光长对各该多数光纤放大器系设定于已决定之値。图式简单说明:图1为组态图显示根据本发明之雷射装置之一具体实施例;图2为略图显示根据本发明做为雷射光源之主雷射组态范例;图3为略图显示根据本发明,具有不同传播延迟特征之多数光纤放大器发射之多片脉冲光间之时序关系;图4为略图辅助说明双重护套型光纤结构;图5为略图辅助说明双重护套型光纤之激发光以及划分后参考雷射脉冲光之传播光径;图6为略图显示根据本发明之第三谐波产生单元及照明光学系统之组态之具体实施例;图7为略图辅助说明根据本发明由雷射装置产生之第三谐波之特性;图8为使用有机EL装置之像素之相当电路之略图;图9为使用有机EL装置之像素主要部份之剖面图;图10为当非晶矽以具有脉冲宽度于100毫焦耳/平方厘米为0.5毫微秒之脉冲光照射时之温度侧绘;图11为当非晶矽以具有脉冲宽度于100毫焦耳/平方厘米为10毫微秒之脉冲光照射时之温度侧绘;图12为略图辅助说明图1雷射装置之使用实例;图13为略图辅助说明图1雷射装置之使用另一实例;图14为略图辅助说明用以产生任一退火脉冲波形做为讯息封曲线之组态,该讯息封曲线系经由调整各脉冲串列振幅及延迟时间获得;以及图15为略图显示经由调整各脉冲串列之振幅及延迟时间所得脉冲串列讯息封曲线范例。 |
