| 主权项 |
1.一种制造电晶体的方法,该方法包括下列步骤形成一多晶矽籽晶,该多晶矽籽晶与该电晶体之导通通道接触,及从该多晶矽籽晶外延生长多晶矽源极/汲极接触区域。2.如申请专利范围第1项之方法,尚包括下列步骤在该多晶矽仔晶内植入杂质,及将该杂质扩散入该导通通道内。3.如申请专利范围第1项之方法,尚包括下列步骤在该接触区域上形成金属矽化物。4.如申请专利范围第2项之方法,尚包括下列步骤在该接触区域上形成金属矽化物。5.如申请专利范围第1项之方法,尚包括下列步骤在该导通通道下方形成接地平面。6.如申请专利范围第2项之方法,尚包括下列步骤在该导通通道下方形成接地平面。7.如申请专利范围第6项之方法,尚包括下列步骤在该接触区域上形成金属矽化物。8.如申请专利范围第1项之方法,其中该植入步骤与该扩散步骤形成一晕圈杂质结构。9.如申请专利范围第1项之方法,其中该植入步骤与该扩散步骤形成一外延杂质结构。10.如申请专利范围第8项之方法,其中该植入步骤与该扩散步骤被重复形成邻接于该晕圈杂质结构的外延杂质结构。11.一种制造电晶体的方法,包括下列步骤在邻接于该电晶体之导通通道形成的多晶矽籽晶内植入杂质,及将该杂质扩散入该导通通道内。12.如申请专利范围第11项之方法,其中该植入步骤与该扩散步骤形成一晕圈杂质结构。13.如申请专利范围第11项之方法,其中该植入步骤与该扩散步骤形成一外延杂质结构。14.如申请专利范围第12项之方法,其中该植入步骤与该扩散步骤被重复形成邻接于该晕圈杂质结构的外延杂质结构。15.如申请专利范围第11项之方法,尚包括下列步骤下削该导通通道上方的闸极结构,及在该下削部分内形成该多晶矽仔晶。16.一种半导体装置,包括邻接于一电晶体之导通通道形成的多晶矽籽晶,及从该多晶矽籽晶外延生长以形成一接触点之多晶矽源极/汲极区域。17.如申请专利范围第15项之半导体装置,尚包括在该导通通道内之杂质结构,该杂质结构的几何形状由杂质从该多晶矽籽晶扩散而决定。图式简单说明:图1是根据本发明制造场效电晶体早期阶段之断面图,图2,3,4,5与6显示根据本发明制造场效电晶体之中间阶段的制造程序,且图7是根据本发明之大致完成的电晶体之断面图。 |
