| 主权项 |
1.一种形成微结构元件的方法,该方法至少包含下列步骤:提供一反应室;提供一基材于该反应室内,该基材具有第一表面及第二表面,该第一表面与该第二表面间隔分离,该基材并入该微结构元件中,该微结构元件中该第一表面及该第二表面相互相对移动;以气相态导入烷基矽烷分子之于该反应室中;以及曝露至少该第一表面或该第二表面于该反应室之该烷基矽烷分子中,以于至少该第一表面或该第二表面上形成一涂层。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中少一部份的该第一表面及该第二表面曝露于该烷基矽烷分子中,以及该涂层形成于该第一表面及该第二表面。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该烷基矽烷分子至少包含烷基卤矽烷。4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该烷基卤矽烷为烷基氯矽烷。5.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该烷基卤矽烷为烷基三氯矽烷。6.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该烷基卤矽烷为二烷基二氮矽烷。7.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该烷基卤矽烷为十八烷基三氯矽烷。8.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该烷基卤矽烷为全氟癸基三氯矽烷。9.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该烷基卤矽烷为乙烷二氯矽烷。10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一表面或该第二表面至少包含半导体材质。11.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一表面及该第二表面至少包含半导体材质。12.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一表面或该第二表面至少包含氮化矽。13.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一表面或该第二表面至少包含矽。14.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一表面及该第二表面至少包含矽。15.如申请专利范围第1项所述之方法,当该基材位于该反应室中及曝露至少该第一表面或该第二表面于该反应室之该烷基矽烷分子中之前,更包含下列步骤:以第一溶剂净化该反应室;以及以不同于第一溶剂之第二溶剂净化该反应室。16.如申请专利范围第15项所述之方法,其中该第一溶剂至少包含异丙醇以及该第二溶剂至少包含异辛烷。17.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该涂层为一自动组装之单层。18.一种形成微结构元件的方法,该方法至少包含下列步骤:提供一基材,该基材具有第一半导体基材表面及第二半导体基材表面,该第一半导体基材表面利用一间隙,以与该第二半导体基材表面分离;曝露至少该第一半导体基材表面或该第二半导体基材表面于氢氧(OH)自由基;以及曝露于该氢氧(OH)自由基之后,曝露至少该第一半导体基材表面或该第二半导体基材表面于气相态之烷基矽烷分子中,以于至少该第一半导体基材表面或该第二半导体基材表面上形成一涂层。19.如申请专利范围第18项所述之方法,其中该涂层为一自动组装之单层。20.如申请专利范围第18项所述之方法,其中该烷基矽烷分子至少包含烷基卤矽烷。21.如申请专利范围第20项所述之方法,其中该烷基卤矽烷为烷基氯矽烷。22.如申请专利范围第20项所述之方法,其中该烷基卤矽烷为烷基三氮矽烷。23.如申请专利范围第20项所述之方法,其中该烷基卤矽烷为二烷基二氯矽烷。24.如申请专利范围第20项所述之方法,其中该烷基卤矽烷为十八烷基三氯矽烷。25.如申请专利范围第20项所述之方法,其中该烷基卤矽烷为全氟癸基三氯矽烷。26.如申请专利范围第20项所述之方法,其中该烷基卤矽烷为乙烷二氯矽烷。27.如申请专利范围第20项所述之方法,其中该曝露于该氢氧(OH)自由基及该曝露于气相态之烷该基矽烷分子均于相同的该反应室中。28.一种形成微结构元件的方法,该方法至少包含下列步骤:提供一基材,该基材具有第一材质及第二材质,该第一材质与该第二材质之间具有一牺牲材质;曝露该基材于一气相态蚀刻剂中,以移除至少一部份的该第一材质与该第二材质之间的该牺牲材质,使得该第一材质利用一间距,以与该第二材质作分离,该第一材质的表面定义为第一表面,该第二材质的表面定义为第二表面;以及曝露至少该第一表面或该第二表面于气相态之烷基矽烷分子中,以于至少该第一表面或该第二表面上形成一涂层。29.如申请专利范围第28项所述之方法,其中该第一表面及该第二表面至少包含半导体材质。30.如申请专利范围第28项所述之方法,其中该曝露该基材于一气相蚀刻剂步骤及该曝露于气相态之该烷基矽烷分子步骤均于相同的该反应室中。31.如申请专利范围第28项所述之方法,其中该牺牲材质至少包含氧化矽,且该气相态蚀刻剂至少包含氮相态氢氟酸。32.如申请专利范围第28项所述之方法,其中该牺牲材质至少包含矽,且该气相态蚀刻剂至少包含XeF2。33.如申请专利范围第28项所述之方法,该曝露于气相态之该烷基矽烷分子步骤之前,更包含曝露至少该第一表面或该第二表面于蒸汽中。34.如申请专利范围第28项所述之方法,该曝露于气相态之该烷基矽烷分子步骤之前,更包含曝露至少该第一表面或该第二表面于氢氧(OH)自由基中。35.如申请专利范围第34项所述之方法,其中系利用曝露前驱物于电浆中产生该氢氧(OH)自由基。36.如申请专利范围第28项所述之方法,其中该曝露于气相态之该烷基矽烷分子步骤系于反应室中进行,在该曝露于气相态之该烷基矽烷分子步骤之前,于该反应室中进行,该方法更包含下列步骤:曝露至少该第一表面或该第二表面于蒸汽或氢氧(OH)自由基中;曝露至少该第一表面或该第二表面于第一溶剂中;以及曝露至少该第一表面或该第二表面于第二溶剂中,该第二溶剂,该第二溶剂的极性少于该第一溶剂。37.如申请专利范围第36项所述之方法,其中该第一溶剂至少包含异丙醇以及该第二溶剂至少包含异辛烷。38.如申请专利范围第36项所述之方法,其中该曝露于气相态之该烷基矽烷分子步骤之后,于该反应室中进行,该方法更包含下列步骤:曝露至少该第一表面或该第二表面于第二溶剂中;曝露至少该第一表面或该第二表面于第一溶剂中;以及曝露至少该第一表面或该第二表面于水中。39.如申请专利范围第38项所述之方法,其中该第一溶剂至少包含异丙醇以及该第二溶剂至少包含异辛烷。40.如申请专利范围第28项所述之方法,其中该烷基矽烷分子至少包含烷基卤矽烷。41.如申请专利范围第40项所述之方法,其中该烷基卤矽烷为烷基氯矽烷。42.如申请专利范围第40项所述之方法,其中该烷基卤矽烷为烷基三氯矽烷。43.如申请专利范围第40项所述之方法,其中该烷基卤矽烷为二烷基二氯矽烷。44.如申请专利范围第40项所述之方法,其中该烷基卤矽烷为十八烷基三氯矽烷。45.如申请专利范围第40项所述之方法,其中该烷基卤矽烷为全氟癸基三氯矽烷。46.如申请专利范围第40项所述之方法,其中该烷基卤矽烷为乙烷二氯矽烷。47.如申请专利范围第28项所述之方法,其中该第一材质及该第二材质至少包含矽。48.如申请专利范围第28项所述之方法,其中该第一材质与该第二材质具有不同的材质。图式简单说明:第1图绘示习知技术对微结构进行初部的微机械加工之剖面图;第2图绘示习知技术对第1图进行处理步骤之第1图视图;第3图绘示习知技术对第2图进行处理步骤及"黏结"之第1图视图;第4图绘示依据本发明微结构之制造方法流程图;第5图绘示依据本发明对微结构进行初部的微机械加工之剖面图;第6图绘示依据本发明对第5图进行处理步骤之第5图视图;第7图绘示依据本发明对第6图进行处理步骤之第5图视图;第8图绘示依据本发明第7图组件之使用;第9图绘示依据本发明第7图组件之使用及第8图之另一结构配置;以及第10图绘示依据本发明使用之反应室的剖面图。 |
