| 主权项 |
1.一种形成浮动闸极的方法,包括下列步骤:提供一半导体基底,该半导体基底上形成有一绝缘层及一图案化硬罩幕层,该图案化硬罩幕层具有一开口以露出该半导体基底表面;于该开口及该图案化硬罩幕层上顺应性形成一导电层,并对该导电层进行平坦化步骤至露出该图案化硬罩幕层表面;对该导电层进行热氧化步骤以形成一导电氧化层;及去除该图案化罩幕层。2.如申请专利范围第1项所述之形成浮动闸极的方法,其中该绝缘层为氧化层。3.如申请专利范围第2项所述之形成浮动闸极的方法,其中该氧化层为垫氧化层。4.如申请专利范围第2项所述之形成浮动闸极的方法,其中该氧化层为闸极氧化层。5.如申请专利范围第1项所述之形成浮动闸极的方法,其中该图案化硬罩幕层为氮化矽层或氧化矽层。6.如申请专利范围第1项所述之形成浮动闸极的方法,其中该导电层为多晶矽层。7.如申请专利范围第1项所述之形成浮动闸极的方法,其中该导电氧化层为氧化矽层。8.如申请专利范围第1项所述之形成浮动闸极的方法,其中该平坦化步骤为化学机械研磨步骤。9.一种形成浮动闸极的方法,包括下列步骤:提供一半导体基底;于该半导体基底上依序形成一闸极氧化层,一硬罩幕层及一图案化光阻层;以该图案化光阻为罩幕蚀刻该硬罩幕层以在该硬罩幕层形成一开口,并去除该图案化光阻;于该硬罩幕层及该半导体基底之表面上顺应性形成一多晶矽层;于该多晶矽层表面上顺应性形成一保护层;对该保护层及该多晶矽层进行化学机械研磨步骤,直至露出该硬罩幕层之表面,并去除该保护层;对该多晶矽层进行氧化处理以形成一多晶矽氧化层;及以该氧化层为罩幕进行蚀刻以去除该硬罩幕层与露出表面之该闸极氧化层。10.如申请专利范围第9项所述之形成浮动闸极的方法,其中该硬罩幕层为氮化矽层或氧化矽层。11.如申请专利范围第9项所述之形成浮动闸极的方法,其中该保护层为氧化层。图式简单说明:第1a-1c图系显示习知之形成分离闸极快闪记忆体之浮动闸极的方法。第2a-2g图系显示本发明之形成分离闸极快闪记忆体之具有鸟嘴状浮动闸极的方法。 |
