| 摘要 |
<p>L'invention concerne un procédé permettant de former un film conducteur transparent constitué principalement d'oxyde d'étain appliqué sur un ruban de verre conformément au processus de dépôt chimique en phase vapeur en ligne généralement connu. Ce procédé consiste à former un film conducteur transparent à faible teneur en carbone et notamment à faible coefficient d'absorption à une longueur d'onde comprise entre 400 et 550 nm, tout en empêchant la génération de grains cristallins géants d'oxyde d'étain. D'une manière plus spécifique, l'invention concerne un procédé permettant de former un film conducteur transparent constitué principalement d'oxyde d'étain appliqué sur un ruban de verre conformément au processus de dépôt chimique en phase vapeur, ce procédé consistant à former un film conducteur transparent à un taux de formation de film compris entre 3000 et 7000 nm/min à partir d'un gaz d'alimentation contenant un composé organostannique dans une quantité comprise entre 0,5 et 2,0 % en mole.</p> |
