Dünnfilm-Magnetspeichervorrichtung mit hochgenauer Datenlesekonstruktion und verringerter Anzahl von Schaltungselementen

摘要

In einer Datenleseoperation werden eine ausgewählte Speicherzelle (MC) und eine Referenzspeicherzelle (MC#) über eine komplementäre erste bzw. zweite Bitleitung (BL, /BL) mit einer ersten und einer zweiten Datenleitung (LIO, /LIO) verbunden, die komplementär zueinander sind. Ein Differenzverstärker (60) führt die Durchgangsströme der Speicherzelle (MC) und der Referenzzelle (MC#) einem komplementären ersten und zweiten Datenbus (DB, /DB) zu und verstärkt eine entsprechend einer Differenz des elektrischen Widerstands zwischen der Speicherzelle (MC) und der Referenzzelle (MC#) auftretende Durchgangsstromdifferenz zwischen dem ersten und dem zweiten Datenbus (DB, /DB) und erzeugt eine Spannungsdifferenz (DELTAV), deren Polarität dem Pegel der gespeicherten Daten der ausgewählten Speicherzelle zwischen dem ersten und dem zweiten Knoten (No, /No) entspricht.