发明名称 Nichtflüchtiger Halbleiterspeicher, der die Polarization eines ferroelektrischen Materials braucht
摘要
申请公布号 DE69623850(T2) 申请公布日期 2003.08.07
申请号 DE1996623850T 申请日期 1996.05.20
申请人 NEC CORP., TOKIO/TOKYO 发明人 WATANABE, HIROHITO
分类号 H01L21/8247;H01L27/10;H01L29/78;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L29/78;H01L29/51 主分类号 H01L21/8247
代理机构 代理人
主权项
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