Verfahren zum Herstellen eines Hohlraums in einem monokristallinen Siliziumsubstrat und Halbleiterbaustein mit einem Hohlraum in einem monokristallinen Siliziumsubstrat mit einer epitaktischen Deckschicht

摘要

Es wird ein Verfahren und ein Halbleiterbaustein mit einem Hohlraum beschrieben, wobei ein Hohlraum in ein monokristallines Siliziumsubstrat eingebracht wird, die Wandung des Hohlraums mit einer Abdeckschicht bedeckt wird und anschließend mit einem selektiven, epitaktischen Aufwachsverfahren eine Deckschicht auf die Oberfläche des Siliziumsubstrates aufgebracht wird und dabei der Hohlraum abgedeckt wird. Das beschriebene Verfahren ist einfach aufgebaut und kostengünstig durchzuführen. Insbesondere kann das beschriebene Verfahren dazu verwendet werden, um bei der Herstellung eines DRAM-Speichers eine Graben vor Hochtemperaturprozessen abzudecken und nach den Hochtemperaturprozessen wieder zu öffnen und als Grabenkondensator fertigzustellen.