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发明名称 Verfahren zur Herstellung von defektfreiem Silizium auf einem isolierenden Substrat
摘要
申请公布号 DE69232749(T2) 申请公布日期 2003.08.07
申请号 DE1992632749T 申请日期 1992.06.03
申请人 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORP., ARMONK 发明人 DENNARD, ROBERT H.;MEYERSON, BERNARD S;ROSENBERG, ROBERT
分类号 H01L27/12;C30B25/02;C30B29/06;H01L21/02;H01L21/20;H01L21/205;H01L21/762;(IPC1-7):H01L21/76;H01L21/306 主分类号 H01L27/12
代理机构 代理人
主权项
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