发明名称 POWER SEMICONDUCTOR, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
摘要 <p>Ein Leistungs-Halbleiter (1) hat ein Gehäuse (2) mit einer ersten Gehäuseseite (5) und einer dieser gegenüber liegenden zweiten Gehäuseseite (6). Die erste Gehäuseseite (5) ist mit einem Kühlkörper (4) zur Ableitung von Verlustwärme versehen. Die zweite Gehäuseseite (6) definiert eine Fluchtungsebene (12). Ferner hat der Leistungs-Halbleiter (1) Anschlusselemente (3), die aus dem Gehäuse (2) herausragen und in Richtung zur zweiten Gehäuseseite (6) so abgebogen sind, dass sie über die Fluchtungsebene (12) der zweiten Gehäuseseite (6) hinausragen, und welche an ihrem Endbereich (11) jeweils für eine SMD-Bestückung einer Leiterplatte (13) ausgebildet sind.</p>
申请公布号 WO2003065449(P1) 申请公布日期 2003.08.07
申请号 EP2002014107 申请日期 2002.12.12
申请人 发明人
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
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