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SRAM-Zellen und Vorrichtungen sind vorgesehen. Die SRAM-Zellen können Verbindungen mit benachbarten Zellen gemeinsam nutzen, einschließlich Verbindungen für Masse- bzw. Substratspannungen, Versorgungsspannungen und/oder Bit-Leitungen. SRAM-Zellen und -Vorrichtungen, die erste und zweite aktive Bereiche enthalten, die auf einem Halbleitersubstrat angeordnet sind, werden ebenso vorgesehen. Parallele erste und zweite Gate-Elektroden kreuzen über erste und zweite aktive Bereiche. Ein Ende des ersten aktiven Bereichs, das benachbart zu der ersten Gate-Elektrode ist, ist elektrisch mit dem zweiten aktiven Bereich, der benachbart zu der ersten Gate-Elektrode ist, durch eine erste Knotenleitung, die parallel zu der ersten Gate-Elektrode ist, elektrisch verbunden, und das andere Ende des ersten aktiven Bereichs, der zu der Gate-Elektrode benachbart ist, ist elektrisch mit dem zweiten aktiven Bereich, der mit der zweiten Gate-Elektrode benachbart ist, durch eine zweite Knotenleitung, die parallel zu der zweiten Gate-Elektrode ist, elektrisch verbunden. Die erste Knotenleitung ist elektrisch mit der zweiten Gate-Elektrode durch eine erste lokale Zwischenverbindung, die über die erste Knotenleitung kreuzt, elektrisch verbunden, und die zweite Knotenleitung ist mit der ersten Gate-Elektrode durch eine zweite lokale Zwischenverbindung, die über die zweite Knotenleitung kreuzt, elektrisch verbunden. Außerdem kann eine Wortleitung in direktem Kontakt mit der Gate-Elektrode der ...
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