DRAM trench capacitor cell and method of fabricating the same,申请号EP19990102356-传众专利搜索

发明名称	DRAM trench capacitor cell and method of fabricating the same
摘要
申请公布号	EP0940853(A3)	申请公布日期	2003.08.06
申请号	EP19990102356	申请日期	1999.02.06
申请人	SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT	发明人	GRUENING, ULRIKE;BEINTNER, JOCHEN;JOACHIM, HANS O.
分类号	H01L21/8242;H01L27/108;(IPC1-7):H01L27/108;H01L21/824	主分类号	H01L21/8242
代理机构		代理人
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