| 发明名称 | 高频介电陶瓷材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一类用于微波元器件及高频陶瓷电容器或温度补偿电容器的介电陶瓷材料，该介电陶瓷材料以Ba<SUB>5－x</SUB>(La<SUB>s</SUB>Nd<SUB>t</SUB>Sm<SUB>u</SUB>Bi<SUB>y</SUB>)<SUB>x</SUB>Ti<SUB>x</SUB>(Nb<SUB>1－p</SUB>Ta<SUB>p</SUB>)<SUB>4－x</SUB>O<SUB>15</SUB>为主相，其中0.01×4，s+t+u+y＝1，采用相应的方法制备，本介电陶瓷材料烧结良好，高频介电常数达到50～100，损耗低，谐振频率温度系数小，在工业上有着极大的应用价值。 | ||
| 申请公布号 | CN1433997A | 申请公布日期 | 2003.08.06 |
| 申请号 | CN03118685.8 | 申请日期 | 2003.02.25 |
| 申请人 | 武汉理工大学 | 发明人 | 方亮;张辉;洪学鹍;孟范成;杨俊峰;袁润章;刘韩星 |
| 分类号 | C04B35/495;C04B35/46;C04B35/468;C04B35/622;H01B3/12 | 主分类号 | C04B35/495 |
| 代理机构 | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 | 代理人 | 张安国 |
| 主权项 | 1、一类介电陶瓷材料，其特征是由氧化物形式的Ba、La、Nd、Sm、Bi、Ti、Ta、Nb组成，并以下述组成的相为主相Ba5-x(LasNdtSmuBiy)xTix(Nb1-pTap)4-xO15 式中，0.01x4 s+t+u+y＝1。 | ||
| 地址 | 430070湖北省武汉市珞狮路122号 | ||