| 发明名称 | 降低栅极堆栈层氧化侵蚀的方法 | ||
| 摘要 | 一种降低栅极堆栈层氧化侵蚀的方法，利用斜向离子注入法在栅极堆栈层的侧壁表面中注入氮离子，使侧壁表面中富含氮离子，接着进行氧退火步骤，使栅极堆栈层的侧壁表面形成氮氧化硅层，可通过氮氧化硅层阻止栅极堆栈层中的多晶硅层继续氧化而受到侵蚀。本发明提供的降低栅极堆栈层氧化侵蚀的方法，不仅可以避免多晶硅层受到氧化侵蚀而造成介电层边缘部分厚度增加的问题，而且可以完全去除多晶硅残留，工艺稳定性高，且可节省热预算。 | ||
| 申请公布号 | CN1434486A | 申请公布日期 | 2003.08.06 |
| 申请号 | CN02102707.2 | 申请日期 | 2002.01.23 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 苏俊联;王俊淇;陈铭祥 |
| 分类号 | H01L21/28;H01L21/265;H01L21/324;H01L21/8239 | 主分类号 | H01L21/28 |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 赵蓉民;王刚 |
| 主权项 | 1.一种降低栅极堆栈层氧化侵蚀的方法，适用于一栅极堆栈层，该栅极堆栈层中至少包括一多晶硅层，该方法至少包括下列步骤：进行一斜向离子注入步骤，在该多晶硅层的侧壁表面中注入氮离子；以及进行一氧退火步骤，使该多晶硅层的侧壁表面形成一氮氧化硅层。 | ||
| 地址 | 中国台湾 | ||