三层多晶硅嵌入式非易失性存储器单元及其制造方法

摘要

包括非易失性随机存取存储器(NVRAM)阵列的逻辑芯片和其制造方法。该芯片包括各种器件，其栅在三层多晶硅中的一层或多层上。芯片逻辑使用普通FET，阵列支持包括高压FET。逻辑和支持都是CMOS。该芯片逻辑内的普通FET的栅由第三层或最高层多晶硅实现。第三层多晶硅同样用做高压FET和阵列字线的掩模，而两者都以第二层多晶硅为栅。第一层多晶硅只用做单元浮栅。

主权项

1.集成电路(IC)逻辑芯片，包括：一个或多个NVRAM单元构成的非易失性随机存取存储器(NVRAM)阵列，每个所述单元包括：位于位线和源线之间的浮栅，所述浮栅在第一多晶硅层上，以及第二多晶硅层上的字线；单元选择电路，所述单元选择电路包括在所述第二多晶硅层上具有栅的多个高压FET；以及包括在第三多晶硅层上具有栅的多个普通FET的多个逻辑栅，所述单元选择电路选择所述阵列内响应所述多个逻辑栅的单元，所述多个逻辑栅从所述阵列接收选择的数据。