有源矩阵显示器及其制造方法

摘要

改进的多层矩阵线(34)包括倒置栅薄膜晶体管(46)，以减少其中的缺陷，增强引入此晶体管的矩阵器件的性能，包括有源矩阵显示器(10)。倒置栅线由构图前按顺序淀积的多层金属结构形成，包括第一底层难熔层(124)、铝层(126)和第二难熔层(128)，它们用于栅结构。铝层被阳极氧化以邻近栅极，从而防止台阶覆盖问题。在利用多层栅结构形成有源矩阵显示器存储电容(50)时，可提供进一步的改进。

主权项

1.制造改进的倒置栅薄膜矩阵晶体管的方法，其特征在于：在绝缘基片上形成多层栅，包括在所说基片上形成第一难熔金属层，在所说第一层上形成铝层，在所说铝层上形成第二难熔金属层；构图所说第二难熔金属层，形成所说栅；阳极氧化所说铝层，防止其接连的各层上的出现台阶覆盖问题；及阳极氧化所说第一难熔金属层。