| 摘要 |
多晶片电阻器藉以下之方法制造。于基板第1面形成多数第1电极层，再于基板之第1面形成分别与第1电极层电性连接之多数电阻体。之后将用以分离第1电极层之多数狭缝形成于基板，接着形成端面电极，而该端面电极系形成于基板之狭缝之端面且连接于接近多数第1电极层之狭缝之端面。再利用多数狭缝切断基板以分离为多数薄长方形基板。最后除去端面电极之部分使多数电阻体彼此不导通。藉该制造方法，可使薄长方形基板上之多数端面电极之尺寸精度向上提升，藉此可确保端面电极间之绝缘距离。因此，可降低将电阻器封装于封装基板时之封装不良。 |
