发明名称 包含锗矽化物/矽化物异质接合面之双极电晶体之制造
摘要 一种用来制造异质接合面之双极电晶体的导体基板。该半导体包含一主要由矽所形成之基板,沈积以覆盖矽基板之一锗矽化物层,以及实质上由矽组成之一保护矽化物层。保护矽化物层系沈积于锗矽化物层上。
申请公布号 TW200302579 申请公布日期 2003.08.01
申请号 TW091132765 申请日期 2002.11.07
申请人 三菱重工业股份有限公司 发明人 广濑文彦
分类号 H01L29/737 主分类号 H01L29/737
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 日本