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发明名称
包含锗矽化物/矽化物异质接合面之双极电晶体之制造
摘要
一种用来制造异质接合面之双极电晶体的导体基板。该半导体包含一主要由矽所形成之基板,沈积以覆盖矽基板之一锗矽化物层,以及实质上由矽组成之一保护矽化物层。保护矽化物层系沈积于锗矽化物层上。
申请公布号
TW200302579
申请公布日期
2003.08.01
申请号
TW091132765
申请日期
2002.11.07
申请人
三菱重工业股份有限公司
发明人
广濑文彦
分类号
H01L29/737
主分类号
H01L29/737
代理机构
代理人
陈长文
主权项
地址
日本
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