| 摘要 |
本发明之目的系于装载有非挥发性记忆体单元及可变逻辑单元半导体装置中，实现低电压动作时之高速化。本发明具有具备可改写之非挥发性记忆体格之非挥发性记忆体单元(8)，及依据下载于多数个记忆格内之逻辑构成定义资料而决定逻辑机能之可变逻辑单元(3)。非挥发性记忆体格系以选择MOS电晶体(第2MOS型电晶体)与记忆体MOS电晶体(第1MOS型电晶体)之分裂闸极构造为前提，使选择MOS电晶体之闸极绝缘耐压较记忆体MOS电晶体之其为低，或使选择MOS电晶体之闸极绝缘膜较高耐压MOS电晶体(第4MOS电晶体)之其为薄。而可使选择MOS电晶体之Gm变高，充分取得读取电流。 |
