发明名称 用于薄晶圆之去除残蜡制程及其装置
摘要 本创作系提供一种「用于薄晶圆之去除残蜡制程及其装置」,主要是针对一般晶圆上的残蜡所采取的清洁方式所形成之耗损大量时间、成效不彰、制程成本提高及影响晶圆表面品质稳定度(良率)等缺失并予以解决改善,而提供一种较高效率去除矽晶圆表面上之多余蜡的方法;其系包含下列步骤: A.将一具有强力吸收性之滤纸放在承载装置表平面上; B.将涂抹有蜡涂层之矽晶圆放在上述滤纸之表平面上; C.开启真空加热装置,利用抽真空方式以提供该承载装置吸附力以牢固吸附该矽晶圆者; D.进行加热,以利融化矽晶圆表面上所涂抹过多的蜡涂层; E.关闭真空加热装置,取出滤纸及矽晶圆; F.矽晶圆上多余的蜡将会被滤纸完全的吸收,而达到矽晶圆清洁之目的;藉上述步骤,使矽晶圆在进行抛光前,可将晶圆表面之余蜡去除掉,使晶圆表面蜡分布更加均匀,以利于晶圆后续研磨、抛光的制程,且使晶圆抛光的效果更好、更平均,确实为一能够完全配合实务需要而研制成功的优良发明。
申请公布号 TW544777 申请公布日期 2003.08.01
申请号 TW091118838 申请日期 2002.08.20
申请人 宏捷科技股份有限公司 发明人 颜本河
分类号 H01L21/205 主分类号 H01L21/205
代理机构 代理人
主权项 1.一种用于薄晶圆之去除残蜡制程,主要是提供一种较高效率去除矽晶圆表面上之多余蜡的方法;该方法系包含下列步骤:A.将一具有强力吸收性之滤纸放在承载装置表平面上;B.将涂抹有蜡涂层之矽晶圆放在上述滤纸之表平面上;C.开启真空加热装置,利用抽真空方式以提供该承载装置吸附力以牢固吸附该矽晶圆者;D.进行加热,以利融化矽晶圆表面上所涂抹过多的蜡涂层;E.关闭真空加热装置,取出滤纸及矽晶圆;F.矽晶圆上多余的蜡将会被滤纸完全的吸收,而达到矽晶圆清洁之目的;藉上述步骤,使矽晶圆在进行抛光前,可将晶圆表面之余蜡去除掉,使晶圆表面蜡分布更加均匀、同时藉由真空吸附力量之牵引可使晶圆平整紧密地附着黏设于承载装置之表面,以利于晶圆后续抛光的制程。2.一种去除薄晶圆残蜡之制程的装置,至少包含:一承载装置,主要用以承载该矽晶圆;一滤纸,系设置于承载装置与矽晶圆之间,主要用以吸附该矽晶圆上之蜡涂层;一加热真空装置,主要用以提供承载装置之热及真空的传递;藉上述各机构之衔接组合,使晶圆上多余之残蜡能快速的被去除者。3.如申请专利范围第2项所述之去除薄晶圆残蜡之制程的装置,其中该承载装置之表面均匀布设有复数个呈贯穿之气孔。4.如申请专利范围第2项所述之去除薄晶圆残蜡之制程的装置,其中该滤纸之直径大小略大于承载装置之直径,以便于将滤纸由承载装置上取出者。5.如申请专利范围第2项所述之去除薄晶圆残蜡之制程的装置,其中该加热真空装置具有复数个气管,且连接于承载装置之气孔。图式简单说明:图一之一-图一之四为一般将蜡沉积在载具上、并安装上晶圆之动作示意图。图二为本发明去除薄晶圆上残蜡之流程图。图三为本发明去除薄晶圆上残蜡之装置示意图。
地址 台南县善化镇台南科学工业园区大利一路六号