| 主权项 |
1.一种半导体元件制法,其包括以下列步骤:以高温扩散手段令晶圆形成P型半导体、N型半导体以及介于P型半导体与N型半导体间形成PN接面;以微影蚀刻手段于晶圆表面形成图案化之沟槽,将晶圆表面区隔成复数位于同一表面相邻的电极预留区;于晶圆上的图案化沟槽内填入绝缘物;将晶圆切割成各包括二电极预留区的晶粒;于晶粒表面施以金属化形成图案化电极;于晶粒表面施以金属化,使晶粒表面形成自二电极预留区分别连接至对应的P型半导体、N型半导体的金属层,该二金属层为绝缘物所隔离,于晶粒上的二电极预留区处形成同一表面相邻的电极;晶粒焊设于导线架,使晶粒各电极与导线架对应的引脚电性连接;以及封胶成形,使晶粒外侧包覆胶体,导线架之引脚外露于胶体外位于同一平面,完成该半导体元件之制造。2.如申请专利范围第1项所述之半导体元件制法,其中于晶圆上的图案化沟槽内填入玻璃粉,再利用高温烧结手段,于沟槽内形成固态玻璃的绝缘物。3.如申请专利范围第1项所述之半导体元件制法,其中于晶圆上的图案化沟槽内利用氧化法,于沟槽中成长一绝缘氧化物作为绝缘物。4.如申请专利范围第1.2或3项所述之半导体元件制法,其中晶粒表面施以金属化形成电极之步骤,可使用无电电镀法。5.如申请专利范围第4项所述之半导体元件制法,其中晶圆完成高温扩散形成PN接面后,对于晶圆表面施以清洁之步骤。6.如申请专利范围第5项所述之半导体元件制法,其中晶圆表面之清洁步骤使用吹砂方式。图式简单说明:第一图:系本发明之流程示意图。第二图:系本发明于晶圆表面之沟槽中填入绝缘物之平面示意图。第三图:系本发明被切割成晶粒后之平面示意图。第四图:系本发明于晶粒表面施以金属化之平面示意图。第五图:系本发明晶粒与导线架焊接后之平面示意图。第六图:系本发明封胶成形后之平面示意图。 |
