发明名称 侧面发光型发光二极体
摘要 目前发光二极体的结构几乎皆由正面发射光源,但若用于背光模组的背光源上时,因为电极面的方向与实际接合面的方向不同,使得制作上势必需要另一种不同的结构以利于制作。本发明「侧面发光型发光二极体」,系将发光二极体的封装结构及电极的制作方式加以创新,研究出能使发光二极体侧面产生光源的一种新的结构及制作方法,可应用于任何背光模组上。
申请公布号 TW544959 申请公布日期 2003.08.01
申请号 TW091115652 申请日期 2002.07.10
申请人 诠兴开发科技股份有限公司 发明人 陈兴;林忠正
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人
主权项 1.一种陶瓷侧面发光型发光二极体的结构,系包含:第一基板:此基板上含有凹槽结构的发光面及贯穿孔电极;第二基板:此基板上含有导通LED晶粒的内部电极及贯穿孔电极;内部电极:附着于第二基板上,连接与导通LED晶粒与贯穿孔电极,其一端制作延伸至第二基板的边角上;贯穿孔电极:同时贯穿第一基板与第二基板,于两基板成型时作为发光二极体侧面电极及发光二极体极性判别之用;背部电极:作为辅助焊接之用;此侧面发光型发光二极体的第一基板与第二基板为叠合密闭结构,第一基板置于第二基板上,第二基板上含有导通LED晶粒的内部电极及辅助焊接用的背部电极,两基板具有贯穿孔,在贯穿孔内有一层导电物质,与第二基板上的内部电极端导通,作为发光二极体侧面电极之用。2.如申请专利范围第1项所述之侧面发光型发光二极体的结构,其中第一基板与第二基板的结构分别可为单层或多层叠合而成。3.如申请专利范围第1项所述之侧面发光型发光二极体的结构,其中第一基板上的发光面形状为圆形、椭圆形、矩形、类圆形或多边形等形状。4.如申请专利范围第1项所述之侧面发光型发光二极体的结构,其中第一基板上的发光面可为单数或复数个。5.如申请专利范围第1项所述之侧面发光型发光二极体的结构,其中贯穿孔的形状可为圆弧形、三角形、线形、矩形等型式。6.如申请专利范围第1项所述之侧面发光型发光二极体的结构,其中贯穿孔贯穿的位置为第一基板与第二基板结构的边或角上。7.如申请专利范围第1项所述之侧面发光型发光二极体的结构,其中电极部分为导电物质,如银膏、锡膏等。8.如申请专利范围第1项所述之侧面发光型发光二极体的结构,其中LED晶粒封装的数目可为单颗或复数颗。9.一种陶瓷侧面发光型发光二极体的制作方法,系包含第一基板与第二基板,将第一基板预先制作孔洞以产生凹槽结构的发光面及贯穿孔,于第二基板上制作贯穿孔并制作导通LED晶粒用之导电电极,此电极一端延伸至第二基板边角的贯穿孔上,将导电电极材料均匀地附着于两基板的贯穿孔内并与第二基板上的电极导通形成贯穿孔电极,将两基板叠合密闭,即完成一侧面发光型发光二极体。10.如申请专利范围第9项所述之侧面发光型发光二极体的制作方法,其中第一基板与第二基板,以共同烧结方式使两基板密合。11.如申请专利范围第9项所述之侧面发光型发光二极体的制作方法,其中第二基板上的电极,以印刷涂布法或电镀的方式制作。12.如申请专利范围第9项所述之侧面发光型发光二极体的制作方法,其中多颗侧面发光封装体共同成型时,可利用切割或劈裂方式予以分离形成单体结构产品或利用特殊切割方式得到多连体结构模组化产品。13.一种侧面发光型发光二极体的结构,系包含:第一基板:此基板上含有凹槽结构的发光面;第二基板:此基板上含有导通LED晶粒的内部电极及贯穿孔电极;内部电极:附着于第二基板上,连接与导通LED晶粒与贯穿孔电极,其一端制作延伸至第二基板的边角上;贯穿孔电极:贯穿第二基板,于两基板成型时作为发光二极体侧面电极及发光二极体极性判别之用;背部电极:作为辅助焊接之用;此侧面发光型发光二极体的第一基板与第二基板为叠合密闭结构,第一基板置于第二基板上,第二基板上含有导通LED晶粒的内部电极及辅助焊接用的背部电极,第二基板具有贯穿孔,在贯穿孔内有一层导电物质,与第二基板上的内部电极端导通,作为发光二极体侧面电极之用。14.如申请专利范围第13项所述之侧面发光型发光二极体的结构,其中第一基板与第二基板,为塑料、PCB、金属等材质。15.如申请专利范围第13项所述之侧面发光型发光二极体的结构,其中第一基板上的发光面形状为圆形、椭圆形、矩形、类圆形或多边形等形状。16.如申请专利范围第13项所述之侧面发光型发光二极体的结构,其中第一基板上的发光面可为单数或复数个。17.如申请专利范围第13项所述之侧面发光型发光二极体的结构,其中贯穿孔的形状可为圆弧形、三角形、线形、矩形等型式。18.如申请专利范围第13项所述之侧面发光型发光二极体的结构,其中贯穿孔贯穿的位置为第二基板结构的边或角上。19.如申请专利范围第13项所述之侧面发光型发光二极体的结构,其中电极部分为导电物质如金属膜层。20.如申请专利范围第13项所述之侧面发光型发光二极体的结构,其中LED晶粒封装的数目可为单颗或复数颗。21.一种侧面发光型发光二极体的制作方法,系包含第一基板与第二基板,将第一基板预先制作孔洞以产生凹槽结构的发光面及贯穿孔,于第二基板上制作贯穿孔并制作导通LED晶粒用之导电电极,此电极一端延伸至第二基板边角的贯穿孔上,使得导电电极材料均匀地附着于贯穿孔内并与第二基板上的电极导通形成贯穿孔电极,将两基板叠合密闭,即完成一侧面发光型发光二极体。22.如申请专利范围第21项所述之侧面发光型发光二极体的制作方法,其中第一基板与第二基板,为塑料、PCB、金属等材质。23.如申请专利范围第21项所述之侧面发光型发光二极体的制作方法,其中第一基板与第二基板,以胶体或压模成型使之密闭接合。24.如申请专利范围第21项所述之侧面发光型发光二极体的制作方法,其中第二基板上的电极,以印刷涂布法、电镀法、曝光显影法的方式制作。25.如申请专利范围第21项所述之侧面发光型发光二极体的制作方法,其中多颗侧面发光封装体共同成型时,可利用切割或劈裂方式予以分离形成单体结构产品或利用特殊切割方式得到多连体结构模组化产品。图式简单说明:第一图为传统正面发光以射出制作法的(L/F)弯脚型发光二极体封装结构示意图。第二图为传统正面发光以模铸法(molding)制成印刷电路板(PCB)型LED封装结构示意图。第三图为传统正面发光以模铸法(molding)制成支架(L/F)型LED封装结构示意图。第四图为日亚化学公司侧面发光型二极体示意图。第五图为本发明侧面发光型发光二极体实施例一分解图。第六图为本发明侧面发光型发光二极体实施例一完成图。第七图为本发明侧面发光型发光二极体实施例一立体图。第八图为本发明侧面发光型发光二极体实施例一俯视图。第九图为本发明侧面发光型发光二极体实施例一覆晶法俯视图。第十图为本发明侧面发光型发光二极体椭圆形发光面搭配斜切形贯穿孔立体图。第十一图为本发明侧面发光型发光二极体矩形发光面搭配斜切形贯穿孔俯视图。第十二图为本发明侧面发光型发光二极体背部立体图。第十三图为本发明侧面发光型发光二极体整体制作图。第十四图为本发明侧面发光型发光二极体整体制作立体图。第十五图为本发明侧面发光型发光二极体塑料与PCB板型制作立体图分解图。第十六图为本发明侧面发光型发光二极体塑料与PCB板型制作立体图。
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