| 主权项 |
1.一种发光装置,包含:一半导体发光元件;一基底元件,其系设置成让该半导体发光元件安装于该基底元件上;以及一密封元件,其系设置成半导体发光元件以密封元件涂覆;其中,至少部分该基底元件由一种以聚醯胺为主之树脂制成,以及至少部分该密封元件系由聚矽氧制成。2.如申请专利范围第1项之发光装置,其中,该基底元件包括一个以聚醯胺为主之树脂制成的壳体,以及一个由另一种材料制成且连结至该壳体以形成一空腔部。3.如申请专利范围第1项之发光装置,其中,该基底元件系由含有引线框作为插入件之以聚醯胺为主之树脂制成。4.如申请专利范围第1项之发光装置,其中,该基底元件包括由以聚醯胺为主之树脂制成之基板。5.如申请专利范围第1项之发光装置,其中,该半导体发光元件具有发射尖峰于不比500奈米更长的波长范围。6.如申请专利范围第1项之发光装置,其中,该以聚醯胺为主之树脂为芳香族尼龙树脂。7.如申请专利范围第1项之发光装置,其中,该聚矽氧含有环氧基。8.如申请专利范围第1项之发光装置,其中,该聚矽氧含有环氧基作为支链。9.如申请专利范围第1项之发光装置,其中,该半导体发光元件具有发射尖峰于不比400奈米更长之波长范围。10.如申请专利范围第1项之发光装置,其中,该以聚醯胺为主之树脂含有光反射填料。图式简单说明:图1为视图,典型显示本发明之一具体实施例之发光二极体之配置;图2为视图,典型显示属于发光二极体组成元件之发光元件之配置;图3为视图,典型显示本发明之另一具体实施例之发光二极体之配置;图4为视图,典型显示本发明之又一具体实施例之发光二极体之配置;以及图5为视图,显示相关技艺之发光二极体配置。 |
