| 主权项 |
1.一种利用自动对准接触孔技术以形成一半导体结构之方法,该方法包括下列步骤:(a)提供一基板;(b)形成一介电层及一导体结构于该基板上;(c)形成一氧化层于该导体结构上,并填满该导体结构间之沟槽;(d)利用一第一次自动对准技术以去除该氧化层及部分与该氧化层接触之该介电层;(e)形成一第一金属层于该导体结构上;(f)去除部分该第一金属层,藉以形成一金属结构于该导体结构上;(g)利用一第二次自动对准技术以去除未被该导体结构覆盖之该介电层,藉以形成该接触孔;以及(h)形成一阻障层于该接触窗上,藉以完成电性之连接。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该步骤(b)之前又包括下列步骤:(a1)于该基板上定义一沟渠结构;(a2)形成一第一隔离结构于该沟渠结构中;(a3)形成一闸极电极结构于该第一隔离结构及该沟渠结构上;(a4)形成一第二隔离结构于该第一隔离结构上;以及(a5)形成一多晶矽结构于该沟渠结构上与该第二隔离结构成交错排列,并分别与该闸极电极结构之源极及汲极结构产生电连接。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该步骤(a1)中之该沟渠结构系藉由一浅沟隔离法以形成。4.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该步骤(a2)中之该第一隔离结构为高密度电浆氧化结构。5.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该步骤(a4)中之该第二隔离结构材质为硼磷矽玻璃。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该步骤(b)中之该介电层材质为矽酸四乙酯。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该步骤(b)中之该介电层材质为硼磷矽玻璃及矽酸四乙酯所组成。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该步骤(b)中之该介电层厚度为1000~2500埃。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该步骤(b)中之该导体结构包括有:一钨结构,形成于该介电层上;一氮化矽结构,形成于该钨结构上;以及一间隙壁结构,形成于该钨结构及氮化矽结构之二侧边。10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该钨结构厚度为400~800埃。11.如申请专利范围第9项所述之方法其中该钨结构宽度为900~1100埃。12.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该氮化矽结构厚度为1200 ~ 2500埃。13.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该间隙壁结构材质为氮化矽。14.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该步骤(c)中之该氧化层为高密度电浆氧化层。15.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该步骤(d)之前又包括一步骤(c1)利用化学机械研磨法去除该氧化层之突出部分,以使该氧化层与该氮化矽结构之顶端平齐。16.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该步骤(d)中之该第一次自动对准技术中所使用之化学材料系由八氟基丁烯、一氧化碳及氩气所组成。17.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该步骤(e)中之该第一金属层材质系为钛。18.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该步骤(e)中之该第一金属层厚度为100~400埃。19.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该步骤(e)中之该第一金属层系藉由一物理气相沈积法所形成。20.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该步骤(f)中系藉由一湿蚀刻法以完成。21.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该步骤(f)中系藉由一电浆蚀刻法以完成。22.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该步骤(g)中之该第二次自动对准技术中所使用之化学材料系由八氟基丁烯、一氧化碳、氩气及氧气所组成。23.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该步骤(h)中之该阻障层材质为钛。24.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该步骤(h)中之该阻障层厚度为200~600埃。25.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该步骤(h)中之该阻障层系藉由一喷溅法所形成。26.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该步骤(h)之后又包括一步骤(i)形成一第二金属层于该阻障层上。27.如申请专利范围第26项所述之方法,其中该步骤(i)中之该第二金属层材质为钨。28.如申请专利范围第26项所述之方法,其中该步骤(i)中之该第二金属层系藉由一化学气相沈积法所形成。29.如申请专利范围第项所述之方法,其中该半导体系指金氧半电晶体(MOS)单元。图式简单说明:第一图:其系本案为改善上述习用手段而发展出来之利用自动对准接触孔技术以形成之较佳实施例之半导体结构上视图。第二图(a)~(g)利用本案之自动对准接触孔技术所形成之半导体结构示意图。 |
