| 主权项 |
1.一种具有静电保护装置二极体之发光二极体装置,该装置至少包含:一灯座;一静电保护二极体,以n电极底部固着于该灯座,并经由导电胶将该静电保护二极体之n电极底部连接于该灯座之正极;一发光二极体,该发光二极体之p电极与n电极位于同侧,该发光二极体底部以绝缘物质固着于该静电保护二极体之p电极上表面,以使该发光二极体底部与该静电保护二极体之p电极上表面形成电性绝缘;一第一导线,用以使该发光二极体之p电极与该灯座之正极形成电性连接;一第二导线,用以使该发光二极体之n电极与该负极支架形成电性连接;及一第三导线,用以使该静电保护二极体之p电极上表面与该负极支架形成电性连接。2.如申请专利范围第1项之装置,其中上述之该发光二极体底部面积小于该静电保护二极体之p电极上表面之面积。3.如申请专利范围第1项之装置,其中上述之绝缘物质系热固形胶质绝缘材料。4.如申请专利范围第1项之装置,其中上述之绝缘材料系白胶或白蜡其中之一。5.如申请专利范围第1项之装置,其中上述之静电保护二极体系一齐纳二极体(Zener diode)。6.如申请专利范围第1项之装置,其中上述之发光二极体系蓝光或蓝绿光发光二极体。7.如申请专利范围第1项之装置,其中上述之发光二极体系选自红、黄发光二极体其中之一。8.一种具有静电保护装置二极体之发光二极体装置,该装置至少包含:一灯座;一静电保护二极体,以n电极底部固着于该灯座,并经由导电胶将该静电保护二极体之n电极底部连接于该灯座之正极;一发光二极体,该发光二极体之p电极与n电极位于不同侧,该发光二极体底部系n电极,并以导电胶固着于该静电保护二极体之p电极上表面,以使该发光二极体底部与该静电保护二极体之p电极上表面形成电性连接;一第一导线,用以使该发光二极体之p电极与该灯座之正极形成电性连接;及一第二导线,用以使该静电保护二极体之p电极上表面与该负极支架形成电性连接。9.如申请专利范围第8项之装置,其中上述之该发光二极体底部面积小于该静电保护二极体之p电极上表面之面积。10.如申请专利范围第8项之装置,其中上述之导电胶系银胶。11.如申请专利范围第8项之装置,其中上述之静电保护二极体系一齐纳二极体(Zenerdiode)。12.如申请专利范围第8项之装置,其中上述之发光二极体系蓝光发光二极体或蓝绿光发光二极体。13.如申请专利范围第8项之装置,其中上述之发光二极体系选自红、黄发光二极体其中之一。图式简单说明:图一显示顺偏压之发光二极体并接一逆偏压之齐纳二极体,以形成具有静电保护之发光二极体的电路示意图。图二显示依据习知技术的第一实施例,发光二极体以覆晶方式对准齐纳二极体而形成具有静电保护之发光二极体的结构示意图。图三显示依据习知技术的第二实施例,发光二极体与齐纳二极体分别位于灯座不同位置而形成具有静电保护之发光二极体的结构示意图。图四显示依据习知技术的第三实施例,发光二极体位于灯座底部,而齐纳二极体位于正极支架侧面以达到具有静电保护之发光二极体的结构示意图。图五显示依据本创作的第一实施例,齐纳二极体位于位于灯座底部并连接至正极支架,n、p电极同侧之发光二极体位于齐纳二极体p电极上的示意图。图六显示依据本创作的第二实施例,齐纳二极体位于位于灯座底部并连接至正极支架,n、p电极不同侧之发光二极体位于齐纳二极体p电极上的示意图。 |
